变压器目前看来没有问题。
R19，你是否有按dawy的建议，调整到2Kohm，看看？有可能你目前选的光耦的电流传输比与我们推荐的不一样。
初级测发热的问题，请先按之前的建议来调整一下MOS及二极管。CSD19534可以申请TI样片（去TI Store申请），或者可以找类似的Qg小一点的MOS管，Rdson稍大一点没有关系。

0 user4401611 6 年多前回复 daw y

Intellectual 260 points

换电阻测试，0.1A输出电压23.7，0.2A输出电压22.6，0.3A输出电压21.4。

我搞不清楚这样换的意义是什么，按照手册，R8去掉后频率非常高，系统能正常工作？实际验证去掉R8后，系统啸叫，声音就和一个马达一样，非常大。

0 Wu JW 6 年多前回复 user4401611

TI__Genius 13420 points

R8不要调整。

你试试将反馈环路调整成以下的结构，并将电阻，电容参数进行调整一下看看。

0 user4401611 6 年多前回复 Wu JW

Intellectual 260 points

修改前电路。
输入电压24V。
输出结果
Iout Vout Vcc
0.1 23.7 20.7
0.2   23.7   22.2
0.3   23.6   22.7
0.4   23.6   23.5
0.5   23.6   24.4
0.6   23.5   25.2
0.7   23.4   26.6
0.8   23.3   26.7
0.9   23.5   26.9
输出1A的时候，电路进入打嗝保护。Vref电压4.8，Vfb电压2.3一直不变
电流到0.7A以后有啸叫

R19换成2K以后
输入电压24V。
输出结果
Iout   Vout   Vcc
0.1   23.1   21.3
0.2   23.0   22.7
0.3   22.9   22.3
0.4   23    23.6
0.5   22.9   24.4
0.6   22.8   25
0.7   22.6   25.4
0.8   22.8   25.2
0.9   22.8   26.3
1.0   22.5   26
输出1.1A的时候，电路进入打嗝保护。Vref电压4.8，Vfb电压2.3一直不变
有轻微啸叫，不严重，比改前好。

测量数据使用电子负载和普通手持万用表。

两种方式，都存在R1，R2，C2，D3（续流电路部分）和主芯片发烫，没有热像仪，定位热源和温度。
预估温度高于80度，环境温度20度。

0 Wu JW 6 年多前回复 user4401611

TI__Genius 13420 points

从你现在的测试数据看，VOUT的跌落没有之前描述的那么厉害。你看看输出电压的测试点，是否是在反馈电阻接入点的测试电压？如果不是，请在反馈电阻接入点进行测试，以减小线损。
芯片发烫，VCC正常工作电压设置偏高。建议调整减少辅助绕组匝数，使VCC在正常工作时，电压为13V左右。
R1，R2，电阻需要加大一些，现在的吸收参数有些偏大，建议可以改成33kohm并联。电容可以放小一点到0.1uF左右。

0 user4401611 6 年多前回复 Wu JW

Intellectual 260 points

1、设计参数1.7A，现在远不到，这个需要解决。
2、因为是紧密体积设计，发热一定要解决，温升不能超过10度，最好在5度之内。
3、输出测试点就是在反馈电阻接入点。
4、目前变压器已经做好了，可不可以临时用一个12V电源给芯片供电。
5、你说的电容是C2么？

0 Wu JW 6 年多前回复 user4401611

TI__Genius 13420 points

问题需要一步一步解决。电源调试没有这么容易的。
你指的温升是指单个器件的温升吗？如果是，这个很难做到。
先将原边吸收的问题先解决，请先按建议来做，看看吸收部分的损耗是否有改善。
我看你变压器匝比是对的，辅助绕组电压过高，有可能漏感过大导致的，你可以将R5加大到47ohm~100ohm，看看VCC电压是否能降下来。
电容是C2.

0 daw y 6 年多前回复 user4401611

Guru 22315 points

R8根频率有关？手册哪里提到的？

0 user4401611 6 年多前回复 Wu JW

Intellectual 260 points

改了R1，R2，C2的参数，R4，R5去掉，用一个12V电源给芯片单独供电
0.1A时电压22.8,1.2A时电压21.7。1.3A进入打嗝保护。
R1，R2，C2地方依然很烫。
MOSFET我定了CSD19537的货，但是需要一周才能到。

0 user4401611 6 年多前回复 daw y

Intellectual 260 points

可能是我理解错误，英文不好。但是实际情况是R8去掉后系统极度不稳定。变压器啸叫非常厉害。原因不清楚。

0 Wu JW 6 年多前回复 user4401611

TI__Genius 13420 points

这部分吸收电路是吸收变压器漏感能量的，如果还是很烫，有可能是变压器漏感太大了。变压器的工艺不过关。
进入打嗝保护的话，可以减少电流检测电阻的值。

0 daw y 6 年多前回复 Wu JW

Guru 22315 points

1、不是漏感能量大，是你参数选择的有问题。330欧姆电阻阻值太小了，按照正常的设计话，你这里选择103电容，两个3K的电阻并联估计就差不多。
2、去掉R8绝对不会影响频率，环路震荡最大的可能是431那边环路参数没设计好。

0 Wu JW 6 年多前回复 daw y

TI__Genius 13420 points

这个我之前已经建议他改过330ohm的电阻了，他说没有效果。

0 daw y 6 年多前回复 Wu JW

Guru 22315 points

输出24V，按照正常设计，反射电压应该设计在20V左右，再考虑尖峰电压，那么330欧姆电阻上的损耗为1-2W左右/每个，不热才怪.没有效果是更改的不对。电压下降估计也跟电阻过大有关，吸收电阻消耗了本应该反馈到副边的能量。

0 daw y 6 年多前回复 Wu JW

Guru 22315 points

更改这个电阻，与环路不稳定没有任何关系，只是说设计参数不合理，引起了过吸收更改电阻可以减少发热。

0 user4401611 6 年多前回复 Wu JW

Intellectual 260 points

今天测试，把R5改成51欧
输入24V
Iout Vout   Vcc
0 25.1   8.1
0.01 23.1   8.2
0.1   23.5    11.2
0.2   23.5    15.3
0.3   23.3    16.4
0.4   23.2    18
0.5   23.1    19.6
0.6   22.9    20.5
0.7   22.8    20.5
0.8   22.8    21.3
0.9   22.6    21.5
1.0   22.6    21.4
1.1   22.5    21.3
1.2   21.9    20.5(打嗝保护)
发现一个比较糗的事情。我的220V-24V电源用了1.1A的，结果其实是前级电源保护了。而不是这个电路保护了。
换了3A的主电源供电，测试输出到1.8A，但是大概几秒钟吧，二极管和主芯片烧了。中间过程也忘了记录。
新买的MOSFET和二极管马上就要到了，我准备等新的到了重新焊板子测试。

另外今天发现，R1，R2部分不烫了，很奇怪，昨天还烫。改R1、R2、C2的参数起了作用？

0 user4401611 6 年多前回复 daw y

Intellectual 260 points

你觉得R1、R2、C2应该调整为多少合适？我目前是33K和0.1uF

电源管理

电源管理论坛

WEBENCH设计结果如何调整（UC2845A）