关于LM5117的问题 散热

可以增加覆铜面积。如果无处增铜；还可以装散热器啊^_^
可以在IC正面或PCB背面对应IC位置；粘接散热器，散热非常有效。

Hi
四层板吗？ 如果是，用中间层的GND，一般很容易解决散热问题。双层板的话尽量表面和背面增加PowerPAD 散热面积。
功耗方面，选择尽量小Qg的MOS， 频率不要太高（200k~300kHz即可），有可能话额外芯片内部LDO供电。

60W的芯片稍微有点几个W的损耗，芯片小，热阻很大，导致温升严重；四层板比两层板效果好，或者使用类似于铝基板/陶瓷基板增加散热；单纯靠PCB板散热很难，单靠自然对流与辐射的方式也比较难。

您好：

       现在高边输出的管子选择的是TI的CSD18563Q5A，标称Qg是15nC，低边输出的MOS管选的是BSC028N06NS * 2，Rdc标称是2.8mR。但是还是发热很烫。输入48V，输出5V 8A时，整个方案的效率只有85%。很烫。问下还有其他的方案吗？额外的内部LDO供电是什么？

l蓝线为LO的波形，黄线为HO的波形。在高边MOS打开关闭的时候，低边MOS管会有振铃。输出波形上也有，地上面也有（满载的时候）。请教下这个怎么消除。

已经尝试的方案：

1，HO上串联电阻 22R

2，LO上串联电阻22R,

3,SW增加RC滤波，R  2R/10R  C 2.2nF （MOS管的Coss 800pF），

4，LO下拉电阻10K。

以上。

那么大功率，不加散热片和风扇，个人推荐用铝基板来做。

你跑的多高的频率？

230KHz

带载5A、10A的时候，与15A相比，5117的温度能差多少，他周围温度呢？85%的效率低了，有可能是周围器件对他的影响。

热量是在FR4板材上，确切的说是铜箔上从热源向边上传导散热的；你这种情况可能是MOS管影响了芯片，但是很难验证，除非你有足够大的散热槽分开两部分。

大神，您好：我有几点疑惑：
1，根据MOS手册中的一个参数定义 “RθJA = 40°C/W， 这是在厚度为 0.06 英寸的环氧板 (FR4) 印刷
电路板 (PCB) 上的 1 英寸2 2 盎司的铜过渡垫片上测得的典型” 我是否需要制版的时候按照2OZ的铜箔处理？1OZ的不是散热会更好点吗？
2，SW这个点如果面积过大，是不是会影响EMC的效果？
3，选择mos管的时候，上面 Id 的参数有三种 1）持续漏电流（受封装限制） 100A
2) 持续漏电流（受芯片限制） 93A
3）持续漏电流（参见1） 15A
那选择的时候应该参考哪类选择？
4，高边MOS管的主要损耗是不是开关损耗？低边mos管的主要孙浩是不是导通损耗？那我们选择MOS管的时候是不是会侧重点选择不同的MOS管，高边管选择Qg小的 下管选择Rds小的？
以上，谢谢。

1、首先，RθJA = 40°C/W指的是从芯片Die到周围环境的热阻，RθJAC指的是Die到芯片表面的热阻（无说明，一般指上表面）；2OZ的厚度，对应铜箔更厚一点，导热热阻更小一些，因为传导面积变大；如果PCB表面只有绿油，辐射也就那样，对流全靠自然对流。
2、SW面积小了容易导致EMC出问题，因为走线细，寄生电感是主要因素；且不是这个点的面积导致EMC，EMC讲的是环路的面积，如果实在怕，可以在SW引脚预留RC（串联）；
3、也不是持续漏电流，应该是持续流过漏源极电流；这个看MOS管的热阻、最大电流和导通内阻、最大允许功耗而定，建议选大的，留25%裕量；
4、开关损耗，包括开启与关断损耗，是电压与电流波形交叉点的损耗；而上下两个管子交替导通，一定时都有这两个的；当然都有G极驱动损耗，上管G极需要自举电路，下管正常驱动，这个Qg考虑不多，建议主要应用还是考虑选择导通内阻小的吧！