现象:
TPS63020 高温老化时出现出现内部L1(PIN8,PIN9),对地短路现象,EN脚是MCU控制,常温下状态正常,设备正常,当环境温度TA>70℃以后,出现L1对地短路,电路原理参照手册设计:
使用示波器测试时,发现程序在控制使能的时候,存在MCU指令中有T1=100uS和T2=10mS的EN拉低电平,这样是否会使芯片在降压模式下,误认为未关机,丢周期,造成占空比过小,续流mosfet通流过大,造成芯片损伤?目前3套样品中出现2套,均在高温下L1对地短路。请尽快回复,谢谢
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TPS63020 高温老化时出现出现内部L1(PIN8,PIN9),对地短路现象,EN脚是MCU控制,常温下状态正常,设备正常,当环境温度TA>70℃以后,出现L1对地短路,电路原理参照手册设计:
使用示波器测试时,发现程序在控制使能的时候,存在MCU指令中有T1=100uS和T2=10mS的EN拉低电平,这样是否会使芯片在降压模式下,误认为未关机,丢周期,造成占空比过小,续流mosfet通流过大,造成芯片损伤?目前3套样品中出现2套,均在高温下L1对地短路。请尽快回复,谢谢