Original question:
UCC27710应用于逆变电路中（且HS引脚应用自举方案），输入的HI和LI的为方波，输出LO为方波， 输出Ho为什么不是方波?
您好，
我們近期正在測試UCC27710用於我們的產品上，目前測試出來，在上臂MOSFET遇到了問題。
在不對Q1 Drain給予電壓時，Q1 Vgs可以量測出漂亮的11V Vgs PWM信號。UCC27710 VDD=11V
當給予Q1 Drain電壓(24V)時，Q1 Vgs峰直僅有4V-5V會出現ring及spike。
另外Q1 Vgs也無法降至0V(無法確切關閉)，可能會產生2-4V之間的noise，導致MOSFET的Rds極大，Vds承受高電壓，MOSFET過熱，最終燒毀。
我們也有量測到HS-GND有很大的spike，spike封值可以來到34-38V，不確定是否會因為spike的產生。量測當下，Q1 PWM信號為200KHz，duty cycle約15%。有安裝下臂MOSFET。
我們可以確定UC27710，在完全不安裝MOSFET情況下，與EVM情況符合。
若有需要任何波形圖再麻煩告知，我們會在明天上班時間補上，謝謝!
Troy
此圖為low side mosfet的Vgs及Vds。
CH1為 Vds。
CH2為Vgs。High level有達到11V，UCC27710的VDD電壓。
此圖為high side mosfet的Vgs及Vds。
CH1為 Vgs。High Level電壓僅5V，明顯不足。
CH2為Vds。當Vgs為2-4V時，MOSFET未完全開啟，導致Rds高，Vds承受高電壓。
此圖為high side mosfet的Vgs及Vds。不對Vds供電，僅量測HO-HS連接至MOSFET的Vgs。
Ch1為HO-HS訊號。可以提供與Low Side相符的電壓準位。
CH2請忽略，探棒是連接到PSU供電，故有電壓。
請問以上狀況是否有可能因為UCC27710的output current不足所致?需要更換更大output current的gate driver嗎?
另外ringing問題是否有解?謝謝
Troy
剛剛測試您的方法，將R5移除，R7以0歐姆替代。
以下是high side mosfet vgs訊號，看起來狀況一樣，目前猜測應該是output current不足所致。
另外我們的VDD GND有與Power stage分開來，一樣為共地，但在鋪銅等地有分開來。
您好，
經過幾天測試，目前有懷疑是Layout問題，我們更換了成UCC27201，波型確實有明顯改善。
但還是存在一些問題。
請查看以下附圖
CH1: UCC28250 OUT-A (High Side MOSFET)
CH2: 變壓器 一次側HS-GND
CH3: High Side MOSFET Gate-GND
CH4: Low Side MOSFET Gate-GND
請問這樣的狀況是否是Layout造成?或者是變壓器漏電感過大等問題?
變壓器是請廠商訂製，有可能存在問題。
謝謝!
