Other Parts Discussed in Thread: BQSTUDIO, EV2400
bqStudio里面并没有这条命令,要怎样处理呢?


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您好,以上指南应该是为我们具有内置保护功能的仪表编写的。 对于这些电量计来说,您需要启用 FET。 FET 由外部控制,因此您需要确保手动使能它。 建议您参考 TRM 的第 11.3 节,里面有更多针对该特定仪表的学习周期的详细信息。
充放电学习是在获取到当前BMS电芯ChemID后,循环学习以获得最佳的阻抗表。
每次改版之后都需要进行LearningCycle操作,学习前修改的参数:CycleCount改为0,AlertConfig改为0,Manuf Date修改为学习时的日期,根据实际修改HardwareRevision
学习过程需要保证BQ34Z100G1处于FULL ACCESS状态,SEAL状态下不可使用。学习过程尽量选择新电池,这样各电芯一致性较好,因为此时没有保护,需随时手动监控各单颗电芯电压情况,一旦过压,应立即停止。
0.将得到的CHEMI_ID写入BQ34;
1.通过EV2400发送RESET指令(0x41),FULL ACCESS,发送IT_ENABLE指令,使能TI的阻抗跟随算法;
2.通过EV2400将Data Memory中的Gas Gauging中Update Status改为04,如下图所示:
3.先将电芯使用0.1C放电至电芯正常的最低电压,静置5小时,准备为电芯充电;
4.对电池0.5C充电,充饱直至电流降至Taper Current;
5.充电完成断开充电器(一定要断开,否则会有漏电流),静置2小时,注意观察BQ Studio中的Learned Status,正常情况下会变为0x05,Data Memory中的Ra Table也会更新其中一个表格;
6.对电池进行放电,选择0.2C放电电流,通常5小时左右放电完成。正确使用电子负载,否则电池报废;
7.放电停止后,电池静置5小时左右,BQ Studio中的寄存器Learned Status,会变为0x06,此时MaxError也会变为1%,FCC和Data Memory中的Ra Table也会更新,Ra0_ flag为0x0055,实测可能2小时左右就可以得到结果;
8.比较FCC与电池设计的实际容量,应该是个很接近的值(电池设计的理论值通常较大),至此电芯学习成功;
9. 导出生产固件(Golden Image→Create即可),该固件即可作为生产的初步生产文件。