LM5022的设计问题

首先，看芯片的规格LM5022的最大输入为60V，如果要做到80V这个芯片不是太合适。

关于原理图：

1.输入端是否浮地？

2.C40、R238有什么作用，是否考虑去掉？

详细的电路参数，你可以再按照10V-48V转12V/4A的参考设计再检查一下- http://www.ti.com.cn/cn/lit/ml/snvr114/snvr114.pdf

那是芯片的VIN，这个电源我单独供的，且我现在调试的是12-36V。

C40是为了消除MOS管D级尖峰的，和占空比没有直接关系

R238不是用来构成的一个低通滤波器吗？

还是找不出问题所在，是电感不合适？还是电流检测不合适？

Hi

   将C40拿掉再测试，C40放在这里并不能很好的消除MOS D极的尖峰。

低通滤波器R236和C121构成的RC，这部分先按之前给的demo链接更改一下吧

Clive Liu 说：

R238不是用来构成的一个低通滤波器吗？

尖峰一般是DS的尖峰电压，会有在DS间并RC吸收电路，但是在GD间加电容，只是对mos的导通关断产生影响。

你做的耦合电感的规格是什么？方便的话把规格书放上来看一下

Clive Liu 说：

还是找不出问题所在，是电感不合适？还是电流检测不合适？

现在调试将检流电阻改为3个1欧姆的电阻并联，占空比变小了，当输入电压增大时，占空比会变小，但电压到20V以后再增加，占空比就不再变化了，这是什么原因？是检流电阻选的大的缘故吗？

期待回复

看似像是顶到MAX duty了啊，你把sense电阻改成50m ohm（0.05R）级别试试看