lox由于你给我发的私人对话中也问到这些基础性的问题，那么我也一并先发在这个帖子里作为一个参考答案，避免对同一问题的回复耽误sheldon时间，有不对和不足的地方再请他指正和更详细的讲解。

1：典型应用电路中D1是一个双二极管，这个二极管是两个二极管并联，有三个引脚，应用中只用了两个脚，请问另一个脚是空悬吗

R：BAt54是单个二极管，虽然它是三个引脚，不用的那个脚是悬空的，BAT54A/C/S才是两个二极管的结构。

2；我用风枪调到300度，每个芯片焊接时间在15秒以内。为什么烧坏了好多芯片啊，我的温度太高，还是因为同一片芯片不能来回拆了再焊接

R:焊接时间缩短一些，反复焊接会加大芯片损坏的危险

3；SRP的 SRN作用又是什么呢，我测试中这两个脚间没有电压差，我的检测电阻是10毫欧，我接下来测一下有没有电流通过

R这两个pin脚是用于检测检测电阻上的电压 从而知道电流的大小，只要有电流流过这两个引脚应该检测到对应的电压信号

4；15， 13管脚的驱动电压用万用表测得为零，用数字示波器测得幅值4v,而且为正弦波，但是频率高的很离谱，达到1MHZ了都，这是干扰原因还是有其他的原因呢、

R;这两个引脚应该对应pwm频率的1和0 ，pwm的频率是300KHZ，CCM模式下  ，你应该测量到的正常信号是300khz，

5：我TS脚的温敏电阻暂时用10K电阻代替了，文档中该引脚的电压范围VLTF V HTF怎么是百分数啊，是相对于哪个电压的呢，VREF？

R：是的，对应vref

6；REGN输出6v是干什么的啊，它是怎么配合BTST给电池充电的呢，那两个N沟道mos管怎么配合啊，输出这块不是太理解

R;这个用于驱动下管和给上管的自举电容充电，当下管导通时，开关节点为低，regn通过二极管给自举电容充电，当下管关闭后，开关节点电压抬升至Vin ,btst电压抬升至vin+V自举电容 从而实现了自举使得上管驱动器有足够高的电压来驱动上管这个n-mosfet。在dcm时，为了能够刷新自举电容，会有一个最小的下管导通时间。

倒三角为数字地，倒三横杠为模拟地（电源地）