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LM25141-Q1: 外置MOS更换型号后上电烧坏

Part Number: LM25141-Q1
Other Parts Discussed in Thread: LM25141,

我们产品使用LM25141-Q1的外置MOS为ON的NVMFS5826NL,由于缺料,我们更换了先科的SFTN6009M,上电测试时发现整机工作电流逐步变大,LM25141工作异常,输出电压会跳动,先科的MOS(Q1020)和3.3V后边供电的模块会烧坏,最终LM25141也会烧坏,请问这个外置MOS的选型条件有哪些,外置MOS烧录的可能原因是什么?可能是Ciss过大吗?另外我们又找了一颗TBL170N06T-5DL8,参数是否满足?谢谢!

LM25141_sch.pdfNVMFS5826NL-D_ONSEMI.pdfSFTN6009M-AH-ST.pdfTBL170N06T-5DL8.pdf

  • Hi

       建议借助TI芯片官网的webench获得电路图,点击电路图中的MOS编辑可以看到合适的MOS.

       对于MOS替代,建议找参数尽量接近的,并且Qg, Rdson尽量小的MOS.

       建议直接对比MOS参数,如你所说,MOS Ciss或者说Qg过大,确实可能造成这个异常。