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请问一下，如果用5V供电，能不能驱动Nmos,?作为半桥驱动来使用的。
HI
LM5109B是8~14V供电，所以这个芯片最低供电建议8V以上。 5V可以用来驱动MOS, 但是用于供电半桥驱动芯片。
谢谢您的回复，确实是我理解错了，那这个芯片的电荷泵的电容是怎么计算的呢？数据手册里面里面的参数有些没看懂，最高可以泵到多高电压呢？
Hi
chargepump升压是是固定的，和chargepump电容大小无关，按照datasheet中推荐的电荷泵电容即可（一般相对固定，按照推荐即可）
但是手册里面的电容是通过计算得来的，不是说固定的，感觉好奇怪
按照datasheet公式计算是可以的。（绝大分芯片这个电容都是datasheet直接推荐的，如果datasheet里面有计算，是需要按照计算确认的）
您看一下数据手册的8.2.2.1 Select Bootstrap and VDD Capacitor，这个公式里的参数，没怎么看懂
就比如说我半桥驱动的话，用的是Gsth是±20V的，那么升压，能升多高呢？
主要原理是Qg=CV, C是chargepump 电容，V是VDD的电压波动， Qg是主要是MOS的Qg。
TI提供的这个计算，考虑得比较多，和其他类似芯片或者同步芯片是有差异得，但是原理一样。
你提到得Vth +/-20V是MOS可接受得驱动电压范围。 而芯片驱动给出得电压实际是接近Vdd得正压，两者没有联系。
