工业产品给电路板供电，要求输入电压12V，双路输出，采用外部mosfet结构。
其中一个芯片的输出是1V/4.5A，1.2V/3A，另一个芯片的输出是5V/4.5A，3.3V/3A。
初步选型为TPS53129。不知道能不能满足上述性能要求？盼回复，谢谢。
---------------------------------------------------------------------------------------------------------------以上通过感谢TI员工的热心回答，5V下应该能输出4.5A
在看数据手册中有另一个问题。数据手册中说设置过流限制电流IOCL的时候(P10)
公式为Vtrip = {IOCL-[Vin-VO)*VO]/(2*L1*Fsw*Vin）}*RDS(on)
这里Vtrip在30-300mv之间，RDS(on)是几Ω
那么我们在输入Vin=12V，输出VO=1V,L1=1.5uH，Fsw=700K，取Vtrip=0.3V，RDS(on)=3Ω的时候
则0.1 = IOCL-[Vin-VO)*VO]/(2*L1*Fsw*Vin）
[Vin-VO)*VO]/(2*L1*Fsw*Vin）=11*1/(2*1.5*700*12*0.001)=0.44
那么过流限制电流岂不是只有0.5A了？如何能输出1V/4A的呢？请问我哪里的理解出现了问题？
另外如果想设计5V，5A的输出时应该注意哪些参数的选择？在guide里没有明确的说明
--------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------这个地方RDS(on)应该看对应的mosfet数据手册，是我弄混了。
还有两个问题。
1.数据手册中关于Vtrip和Rtrip的计算（P10）公式是这样的
然而在P20中却又变成了这样
这样一来按两个公式的话计算就会出现很大的误差。比如我想设计的Vtrip是100mV，根据P10的公式，Itrip=10uA，计算得Rtrip=10k。
然而根据P20的公式Rtrip则=14K。这时应该以哪个为准？
2.第二个问题是分压电阻的选择。
在TI的有些电源芯片分压电阻的选择中只用满足一个公式Uo*R1/（R1+R2）=Vfb，其中Vfb是内部基准电压，就可以了，在这款电源芯片中是不是也可以这样计算？我在数据手册中发现计算公式是这样的
还是必须要严格的按照这个公式来计算？同时数据手册中Vfb是取典型值还是在范围中间的值就行了？多谢了！
