最近仿照TPS23754EVM-383EVM做了一个符合802.3at的PD设备，输出电压19V，变压器用的是线艺的POE300F-24L,输入电压范围44V-57V，占空比理论范围是50%——65%，输出电压19V正常，但是TPS23754 芯片、高压侧的NMOS和PMOS、变压器发烫严重，而且工作一段时间后占空比还会跳变，求高手分析原因。
最近仿照TPS23754EVM-383EVM做了一个符合802.3at的PD设备，输出电压19V，变压器用的是线艺的POE300F-24L,输入电压范围44V-57V，占空比理论范围是50%——65%，输出电压19V正常，但是TPS23754 芯片、高压侧的NMOS和PMOS、变压器发烫严重，而且工作一段时间后占空比还会跳变，求高手分析原因。
补充一下：奇怪的是我将输出电压改为12V，其他的什么参数都不变，电路就工作正常了。
以下是我测试的各点波形，以便大家分析：
TPS23754第6脚VC的波形：
TPS23754 第1脚CTL的波形:
一次侧主MOS的VDS波形:
主MOS的开关信号:占空比明显不一样在变化。
