请问UCC27322的AGND与PGND是否需要连在一起?实际电路中连在一起是否会有问题?TI的例程中,好像两个是分开的,没有连在一起,但是手册中怎么建议相连呢?我在实际电路中遇到了此问题,这个片子老是会烧,请各位大侠帮忙回答下哦,谢谢
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请问UCC27322的AGND与PGND是否需要连在一起?实际电路中连在一起是否会有问题?TI的例程中,好像两个是分开的,没有连在一起,但是手册中怎么建议相连呢?我在实际电路中遇到了此问题,这个片子老是会烧,请各位大侠帮忙回答下哦,谢谢
可以连在一起,我觉得片子烧跟这个脚的关系倒是不是很大,你需要先找到烧坏驱动芯片的原因。
是的,担心功率地那边对控制地造成影响,现在芯片坏的现象是电源对地短路,但是MOS没有问题。我的做法参照TI的方式,功率地与控制地分开,并没有相连,所以我担心若是我将两个地连在一起,是否会影响更大?
我在电源对AGND放了一个,但是电源对PGND没有放置,我看TI3000W的也只在电源对AGND的放了一个,我也打算在电源与PGND之间放,但是这样相当于将电源与功率部分也进行了耦合,
您好,您的变换器工作过程中驱动波形没有电压尖峰吗?您监控时电压测得多大。我以前倒是没遇到驱动芯片烧坏的情况,最多就是芯片有些温度,鉴于您用的2系列的产品,应该不是过温了。
谢谢,驱动波形当时只是看了下,至于尖峰电压可能当时没有关注到,我再看下,是不是这个原因引起的,若是这个原因的话,那我是否就得再VDD与PGND之间加个电容呢?还是增大VDD与AGND之间的容值?
你先看看是不是这个原因吧,我觉得在mos GS两端接一个15V的TVS管会有些作用,可以通过增大驱动电阻来减小dv/dt(可能会增大开关损耗),你先找到原因吧,记得反馈下试验情况,谢谢。
你好,是不是探头和示波器没有较零,因为你的低电平也有2.5V左右,减一下就对了。感觉你是交错并联吧,你单路开有没有好些,你可以也试着增大一点驱动电阻看看,会不会好一些。
您好,问题已经解决,在VDD与PGND之间加了一个电容,效果好多了,现在芯片已经不坏了,但是看驱动波形,感觉还有点小的尖峰,不过我不确定是不是从探头引入的干扰,要是量产的话,可以按您说的,在那加一个TVS钳位。至于增加驱动电阻,可能会影响效率吧?
VDD与GND之间需要加解耦电容来提供瞬间的驱动电流,之前看错了以为您加了,原来您不是在PGND处加的,不好意思(PGND端电容一般比AGND端要大)。
此处的电压尖峰应该不是探头引入的,我以前做实验也遇到过(差分探头测量)这是ds电压变化影响GS电压的情况。
TVS 我以前在学校经常加一个,加的原因主要是怕GS电压太高损坏MOS,直接并联在MOSFET 的GS两端,如果您的驱动电压尖峰开关管可以承受不加也是可以的。
增加驱动电阻会增加变换器的开关损耗,从而影响效率。好处是可以减小Vds电压尖峰,EMI也会好些。(看你需求是什么,case by case),这里您的问题如果解决了,也可以不做调整,后期如果有问题,再考虑。