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如题，输入15-24v 输出30v，效率要达到95%，可以用什么芯片，感谢各位大神指点迷津
HI
选择TPS43060这样的同步升压芯片，注意一下电感MOS的选择，做得好满载是可以达到95%以上的的效率的。
Johnsin Tao:
电感，MosFET怎样选择，我做了一个方案就是下管温升太大，不知如何解决，附图是下管的开关波形请问这有关系吗？具体选择这些元件有参考资料吗？谢谢！
你好，
多大功率，什么情况下测试的。
webench 跑一下。
https://webench.ti.com/webench5/power/webench5.cgi?VinMin=15&VinMax=24&O1V=30&O1I=2&base_pn=TPS43060&AppType=None&op_TA=30&lang_chosen=zh_CN&origin=pf_panel&optfactor=3&action=simulate
Hi Chelsea
你好，是输入10V，输出25.4V/3.5A 电流测试，在25度环境下，温度都达到了110度
功率确实比较大，设计中最好选用小rdson和小热阻的mos,增大板子面积和铜厚，实在不行加额外散热器
这个波形是同步的时候两个mos撞上了，功耗一定很大的~；
加大一下同步mos的栅极电阻
Di Yang1,
你好，这个可以再试下更大点的电阻，开始时我是用3.3的，后来改为0 但都是发热比较严重，我测试过了，效率仍有94%，我用的两MOSFET都是RDSON 4mOhm的
对于BOOST电路是下管比上管较热的吗？ 如果我在下管再加个MOSFET并联对这有帮忙吗？谢谢解答。
要提高效率，需要区分开关损耗和导通损耗谁是主要因素，另外电感的DCR是否足够小。如果开关损耗是主要因素，选择Rds更小的MOS，未必会带来效率的提升。建议做个分析后，再做相应的改进，否则很难给出准确到位的建议。
你4mO的mos ，Qg过大了；
并连一个将会更差，选择一个导通内阻大些的Qg小一些的
你开关MOS管的栅极电荷还没有抽走，同步mos就打开了；
你关注一下mos的曲线
以此为为例7.5V电压驱开10nC，抽走25nC；
需要用自己的驱动电流算一下的~
同时辅助下述结构
