1、BQ33100芯片工作时内部ADC的采样率是多少?每次电流采样的间隔时间是多少毫秒?
2、我们参考BQ33100数据手册推荐的电路方案设计的超容模组,在外部系统掉电时如果超容模组正在处于自学习的放电阶段,此时LLEN输出高电平外部放电电路处于开启状态,BQ33100在检测到系统掉电会自动退出学习状态并把LLEN拉低关闭自学习放电电路吗?如果有以上操作,那么从检测到系统掉电到拉低LLEN的时间间隔有多长?
3、主机向BQ33100发送0041复位指令后,BQ33100都有哪些动作,哪些寄存器的值会被重置,哪些内部flash信息会被覆盖或修改,BQ33100输出功能的PIN脚都有哪些动作和控制逻辑?
您好,您所说的BQ33100在欠压期间会拉低LLEN,有具体的欠压值吗?在我们的应用中BQ33100的PIN脚VCCPACK是连接到系统的12V电源的,系统掉电时12V电源就会掉电,VCCPACK的供电电压会下降直至0V。我们的参数目前配置的放电电流阈值是15mA,根据手册上描述放电电流大于15mA且持续一秒钟DSG会被置位。按照ADC 采样率为~10–20Hz (电流样本之间的间隔为50-100ms),BQ33100在这一秒内采可以采集到10-20个电流样值根据这些电流值置位DSG寄存器的算法是在这1秒内采集到的电流值都大于15mA还是只要有大于15mA的电流数据就会置位DSG标志寄存器。关于BQ33100接收到0041指令复位的动作帮忙明确说明一下易失性寄存器包括哪些?是指的RAM中的临时数据吗?帮忙提供一下具体说明清单 ,帮评估并说明一下复位操作会对超容系统和整体系统备电有哪些影响。
您好
未记录 LLEN 下拉的特定"欠压值"、但它可能与 POR 阈值(VCCPACK 上为~2.0–2.5V)相关。 在您的情况下、由于 VCCPACK 在断电期间达到此水平、因此由于硬件复位、LLEN 几乎立即(<< 1 ms)变为低电平、从而停止放电。 如果电流在1秒内跨10–20个样本(而不仅仅是来自单个样本)持续(或平均)超过15 mA、则可能会设置 DSG 标志。 请查看放电电流阈值寄存器文档以了解确切的逻辑(例如、瞬时与平均值)。 0x0041复位会清除易失性 RAM 寄存器(例如、CURRENT、DSG、电容)、停止学习(LLEN 为低电平)、并以完好无损的闪存设置重新启动器件。 它暂时中断过容量跟踪、但在重新初始化后保留备份功能。 欠压:在12V 至0V 欠压期间、LLEN 可能会降至~2.2V (POR 阈值)。 DSG 逻辑:持续电流>DSG 超过1秒(10–20个样本)设置15 mA。 复位效果:清除 RAM、暂停学习、对重启后的备份影响最小。