在使用USB(跳过前级,稳压电源供电也一样)给48V电池充电后,断开输入电源,PG灯一直亮,升压侧的上下MOS有被周期打开,
电池电流反灌到输入VSYS,造成无法识别欠压并停机。
BQ25756充电是由MCU设定的固定电压和电流进行工作的。
当充电电压输入为12V,断开后,VSYS电压则为11.08V左右。
当充电电压输入为9V,断开后,VSYS电压则为8.4V左右。
麻烦TI工程师协助排查下问题,谢谢!
感谢您的努力。 我将在本周晚些时候查看示意图并回复您。
在此期间,我有几个问题可以帮助调试:
battery电压和充电电流是多少?
这是否发生在所有battery电压just a few?
是否可以从设备读取寄存器?
您能否使用示波器测量SW1和SW2?
1.电池是15串磷酸铁锂,电压是37.5-54V(一般充电时候电压在48-54左右,测试用的电池),电流是0.3-1.1A(是USB快充应用,根据适配器输出决定)
2.也不是必现的,但大多时候会出现这样的问题。(充电立即移除则不会,9/12/20V输入稳定充电一会后出现现象,出现现象后如果对BQ25756有配置则会退出。正常这个现象可能等20多分钟后会恢复。
3.可以读取到寄存器。我们看到的充电状态是 Fast Charge,
4.有测量SW3和SW4(对应您所说的SW1和SW2),SW4波形与栅极波形一致,周期性方波加震荡。 SW3则是平缓的电压波形(11V or 8.4V 类似被滤波后的状态),
5.另外使用热成像仪测得Q5(MOSFET)温度在58℃左右,其他MOS温度只有20多摄氏度。恢复正常后Q5是没有温度的。
目前我主观结论是,BQ25756认为有输入,一直在升压控制MOS开关,电流从MOS反灌到输入,所以PG一直检测不到欠压,陷入循环状态了。
是的,
1.我们使用的高VGS的MOSFET,这个有换过其他型号MOSFET替换,也是一样的。
2.稍后我将去除L1的RC进行测试,结果稍后回复。
3.VAC上的电容是1uf+0.1uf在IC侧,总线上电容是22UF,VSYS上有100uF(它与VAC直接是5mR的采样电阻),VBAT上电容是100uF,Pout上电容也有100uF(它与VBAT之间是10mR采样电阻)
4.我会拆下C25与C87进行测试,但是我认为电池侧的电容关系不会很大,因为我们测试中电池是一直在位的。
5.还有个很重要的测试信息,出现现象后,我尝试从将输入侧电容进行放电,接入了直流负载仪,它是可以放出100mA左右的电流的,当超过60mA时候,电压才开始往下掉。在100mA时,输入电压跌到4.5V左右,再加大电流就会进入欠压了。
还有一件事,可以将引脚17短接到GND吗?
可以读取到寄存器。我们看到的充电状态是 Fast Charge,
充电器是否报告其处于VAC_DPM状态?
4.有测量SW3和SW4(对应您所说的SW1和SW2),SW4波形与栅极波形一致,周期性方波加震荡。 SW3则是平缓的电压波形(11V or 8.4V 类似被滤波后的状态),
如果可能的话,你能给我发送这些图片吗?
3.VAC上的电容是1uf+0.1uf在IC侧,总线上电容是22UF,VSYS上有100uF(它与VAC直接是5mR的采样电阻),VBAT上电容是100uF,Pout上电容也有100uF(它与VBAT之间是10mR采样电阻)
这应该是一个良好的电容量。
在100mA时,输入电压跌到4.5V左右,再加大电流就会进入欠压了。
我不太确定你所说的是什么意思。 您可以改写这句话吗?
非常抱歉,我们的板子数量较少,目前这个现象被破坏了,一直没有复现,所以很多测试没有办法进行下去。
可能短时间内无法完成问题的排查。
这个波形没有保存,现象没有复现暂时没有办法提供。
这个有记录,REG0x21的值是0x23,VAC_DPM_STAT = 1
这边的意思是:当该现象发生后,我在输入侧增加电子负载CC模式持续放电接近100mA,尝试将输入电容的电放掉,排除因为电容过大造成故障的可能。如果将增大放电电流,则可以使输入电压跌落。
这个之前有尝试过,它的表现是一样的,我们更换成10mR是为了提高电流精度。并降低充电截止电流的下限。