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1、DT/SD下拉74.9K电阻；死区时间已经设置到最大200ns
2、OPT上拉49.9K电阻；相位180°
3、OSC下拉41.2K电阻；100KHz
4、上臂和下臂用的都是4个MOS并联，MOS管的参数如图：
目前的状态是只要上电（不带负载）下桥臂的MOS击穿，如果持续上电，上桥臂的MOS也会击穿。个人怀疑是CISS太大，死区时间太小导致的。
希望能提出排查方向？
您好，
已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待。
我同意Qg非常大。你使用的是什么栅极驱动电阻器？请检查门波形以支持分析。
目前栅极驱动电阻是1欧姆，现在的情况是我这边不太和测量门驱动，主要是因为我这个上电之后没有进行任何操作很快MOS就击穿了，另一个就是示波器探头放上去也会击穿。请教一下测量这个门驱动的探头有没有一个要求，例如需要差分隔离探头，探头的参数等
我不明白为什么调查失败了。你能画一张测试设置图吗？您需要使用差分探头来检测HO信号。您可以在Vin=Vout=0V的情况下测量栅极信号，以避免损坏。
这个我测量门驱动我再想想办法。两外有个问题咨询，就是这个HO和SW之间以及LO和PGNG之间，有没有必要或者说能不能加稳压管、电阻和电容？
没明白是什么意思？也许你可以画一个示意图。
图中的稳压管，有没有必要加，加了后对开关的波形有没有什么不良的影响？
今天在研究数据手册时看到这样的内容有点疑惑
按照上图那这个HB至SW的电压是不是已经超过14V了。
齐纳二极管用于保护MOSFET栅极。（典型值最大±20V）HB-SW电压不是SW电压。靴带是浮动的。我认为关于MOS栅极驱动器的一个很好的起点是MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基础。
HB至SW的电压，我理解的是HB和SW两脚之间的电压，所以SW管脚上的电压是48V而HB管脚上的电压是10V，并且这两个电压相对的是同一个GND，那么SW和HB两脚之间的压差就超过14V了。不知道我这样理解对不对？
HB是一个浮动节点。由于HB和SW之间的电容器，HB-SW电压几乎恒定为10V。
