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BQ25750: BQ25750充电MOSFET发热问题

jiajun guo
Prodigy 60 points
Part Number: BQ25750

在使用BQ25750为6节4.2V电池（满电为25.2V）充电的过程中，升降压MOS发热十分严重。

输入电压24V，电感感值选用10uH，ICHG通过电阻设置5A充电，FSW_SYNC设置为200kHz开关频率，DRV_SUP使用外置DCDC供电10V。

开启电池充电后，测得实际充电电流为3A左右，示波器测得开关频率200kHz符合设置。

升降压MOS持续升温，在120℃左右稳定，这对于系统来说温度太高了。请问这种情况属于正常情况吗，有什么方法可以解决MOS温度太高的情况。

  • 0
    TI__Mastermind 35395 points

    您好，

    已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待。

  • 0
    TI__Mastermind 31860 points

    感谢您为此所做的工作。不，这不是正常情况。

    我有几个问题可以帮助我们调试：

    你能把你的原理图发给我吗？电感器和开关FET的零件号是多少？
    你能用示波器捕捉SW1和SW2吗？
    你能用示波器测量IBAT电流吗？
    你能读取寄存器，看看是否有任何状态或标志寄存器被设置吗？

  • 0 回复 Links
    Prodigy 60 points

    感谢您的回复，这是BQ25750的原理图部分，电感型号为FXL1040-100-M，目前将开关升降压的MOS 更换成开关时间更短的MOS（BSC0805LS）后，系统充电温度稳定在80℃左右，这属于正常情况吗

    以下是捕捉到的SW1和SW2的波形，充电输入电压为24V，电池电压为23.3V，充电电流3.5A。

    SW1处波形

    SW2处波形

    芯片内的寄存器处于默认状态，未使用MCU与其通信。

  • 0 回复 jiajun guo
    TI__Mastermind 31860 points

    原理图不清楚

  • 0 回复 jiajun guo
    TI__Mastermind 31860 points

    我只是在快速了解这个话题。据我所知，初始分压器会将设备置于VAC_DPM。ACUV阈值设置设备的操作窗口。有一个高于ACUV限制的阈值，用于设置VAC_DPM范围，这将限制输入电流。我相信伊森注意到波形表明电路中有一个小电流。

    ACUV限值由以下方程式确定：

    VVACUVP=1.1（RAC1+RAC2+RAC3）/（RAC2+RAC3）

    ACUV_DPM限值由以下方程式确定：

    VACUV-DPM=1.21（RAC1+RAC2+RAC3）/（RAC2+rac三）

    基于初始电阻分压器，ACUV_DPM限制高于测量的VAC电压，这将使设备进入电压DPM，设备将限制电流。您能否通过第一个电路找到I2C读数以查看VAC_DPM_STAT位的值来验证这一点？