尊敬的工程师您好,我遇到了一个有关nandflash烧写程序出现坏块的棘手问题。我是用的是C6657芯片,nandflash使用的是S34MS01G。在通过load memory加载bin文件之后,DSP程序在向nandflash写入数据时报错出现坏块。但我更换了新的nandflash芯片却依然提示存在坏块。其中nandflash的坏块检测机制是将写入的数据进行回读对比,若出现不一致时,则认为是坏块,若全部一致,则认为是正常,并烧写成功。请帮忙给出出现该问题的原因和解决思路。
尊敬的工程师您好,我遇到了一个有关nandflash烧写程序出现坏块的棘手问题。我是用的是C6657芯片,nandflash使用的是S34MS01G。在通过load memory加载bin文件之后,DSP程序在向nandflash写入数据时报错出现坏块。但我更换了新的nandflash芯片却依然提示存在坏块。其中nandflash的坏块检测机制是将写入的数据进行回读对比,若出现不一致时,则认为是坏块,若全部一致,则认为是正常,并烧写成功。请帮忙给出出现该问题的原因和解决思路。
您好,
写入程序是TI的示例代码吗?
请参考 TMS320C6657: NANDFLASH curing burn program, read back register gets stuck - Processors forum - Processors - TI E2E support forums 帖子中产品线专家Shankari G的测试过程。