TMS320C6657: nandflash烧写时出现坏块，烧写失败

您好，

已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待。

您好，

     写入程序是TI的示例代码吗？

    请参考 TMS320C6657: NANDFLASH curing burn program, read back register gets stuck - Processors forum - Processors - TI E2E support forums 帖子中产品线专家Shankari G的测试过程。

感谢你的关注和回答。

1）写入的程序不是TI的示例代码，是我的应用程序，是使用裸机程序通过DSP将DDR3中的数据搬移到nandflash中，但是在搬移完成之后，对所搬移的数据回读检测时出现了错误，检测到回读的值与写入的值不一致。我尝试了更换nandflash芯片，但两个芯片检测的结果是一样，都是同样的地址回读的值不一致。所以觉得不是nandflash芯片的问题，可能是其他原因导致的，但现在没有任何头绪

       /* Compare the data read with data programmed */
        for (i = rPos; i < rLen; i++)
        {
            if (nandWriterInfo.readData[i] != nandWriterInfo.writeData[i])
            {
                printf ("Failure in block %d, at byte %d, (at byte %d in the data file) expected 0x%08x, read 0x%08x\n",
                        block, i, rPos, nandWriterInfo.writeData[i], nandWriterInfo.readData[i]);
                if (swap_byte) free (scrach_block);
                return (FALSE);
            }
        }

2）我理解Shankari G先生表示的思想，我想这个和我遇到的问题还不太一样，我这么理解。

您好，

     建议测试一下TI的示例代码。

thanks for your answer.OK,i'll go ahead and verify it.Meanwhile...i have two questions about that it。

1） 在memory browser中的load memory功能，当把相应的bin文件加载到0x0c00000和0x8000000意味着什么？是否是把bin文件写到了DDR中

2）根据上述描述，DSP在对DDR中数据搬移到nandflash中？