TMS320C6747: TMS320C6747被干扰

1. 结构屏蔽（缝隙治理）

• 铝合金结构缝隙需加装导电衬垫/EMI 密封条（EMI gasket），确保结合面导电连续，缝隙尺寸应远小于 1.4GHz 波长的 1/20（约 1cm 以下），减小缝隙天线效应。
• 对结构缝隙进行导电镀层处理（阳极氧化会绝缘化，需局部搭接良好导电通路）。
• 检查机箱是否形成完整的法拉第笼，接缝处搭接阻抗应尽量低。

2. 线缆与接口处理

• 引出线缆改为屏蔽线，且屏蔽层两端360°搭接接地（不要只接一端，否则屏蔽层本身变成天线）。
• 在线缆进出机箱处加装磁环/共模扼流圈（ferrite bead/common-mode choke），抑制线缆携带的高频共模干扰进入板内。
• 烧写口（JTAG/仿真器接口）平时应加防护盖或屏蔽罩，若必须外露，考虑在信号线上加低通滤波（小电容到地）或RF扼流。

3. 晶振重点防护（结合遮挡有效的验证结果）

• 对晶振本体加装独立金属屏蔽罩并可靠接地（屏蔽罩接地点要多点、低阻抗）。
• 缩短晶振至芯片OSCIN的走线，晶振下方铺独立、完整的接地铜箔并打密集的接地过孔（stitching vias）形成局部屏蔽腔。
• 核实 OSC_VSS/RTC_VSS 接地是否符合数据手册脚注要求（有源晶振应接板级地，且回流路径要短而直接）。
• 在 OSCIN 输入端加小容值高频旁路电容（如 pF~低nF 级，紧靠引脚），抑制寄生耦合到时钟输入的高频噪声。
• 若允许更改选型，评估更换为带屏蔽罩、更强 EMI 抗扰度的有源晶振模块（多数工业级 XO 有金属屏蔽封装，抗扰度优于无罩产品）。