我使用TMS320C6678芯片，EMIF16位宽为16bit，四个CE都工作在NOR_ASRAM_MODE，SS_SROBE模式。其中CE0，CE1，CE3的读写setup,strobe,hold时序为1,2,16；且为WAIT_NONE模式。CE2的读写setup,strobe,hold时序为4,4,40；且为WAIT0模式。
在测试过程中发现，当使用CE1/3向外设写入一段数据后，再切换至CE2从另一个外设读取数据时，CE2的第一个数据读取耗时特别长（可达5us），之后CE2的数据读取都正常为几十个ns。
请问下这是为什么？是CE间切换耗时长，还是EMIF读写切换耗时长？
谢谢！
