各位大牛:
现在在做Nand/Nor Falsh Boot via IBL ,使用led程序来验证boot成败,遇到一些问题,特此请教。
1).先烧写Nand flash 程序还是先向EEPROM中烧写IBL,参考其他人的有不同的顺序,对boot有没有影响?
2).在eepromwriter_input.txt 中bus_addr=0x51,那no boot mode 下的SW5是不是应该是0 0 0 1,但好多参考上选择的0 0 0 0,这是不是有关联?
3).加载过i2cparam_0x51_c6678_le_0x500.out和 setConfig_C6678_main(), Run后 CIO窗口右下角也会出现 CIO waiting input,按回车(enter)后出现“Error: I2C timed out, reported at stage: Block at offset 64 ”,这是什么原因?
4). i2cConfig.gel 文件中已经修改nandBoot.bootFormat=ibl_BOOT_FORMAT_ELF.
5).得知IBL会使用到L2内存,已经修改CMD错开L2区域,这和第三个问题有关联吗?
问题较多,请重点回答第三个问题,谢谢。