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TDA4VM: LPDDR4 LAYOUT设计问题

Part Number: TDA4VM
TI专家您好!
现我司PCB板采用10层通孔进行设计,LPDDR4部分遇到问题需要你们的协助。

现状

方案A: TDA4VMid 10层的参考设计,Allegre可以打开,但是转换成PDAS 9.5(后缀.PCB)不成功。

方案B:TDA4VMid 16层板的参考设计,转换成PADS 9.5成功。对于LPDDR4走线部分,压缩成10层板的设计(走线保持不变),放置在 L3、L5、L7、L9层。

问题1:对于LPDDR4部分,10层板与16层板的设计不同(阻抗相同,线宽线距不同),目前我们打算采用“方案B”的应对方式,是否我们使用IBS模型进行仿真通过了就可以进行微调使用?还是必须要参考10层板的设计进行Layout呢?你们有何建议?

问题2:TDA4VMid SOC内部DDR走线长度是多少呢?