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AM3354的DDR2和NAND-FLASH布线疑问

jinlei zhang
Prodigy 175 points
Other Parts Discussed in Thread: AM3354

目前选用AM3354主芯片，在DDR2和NAND-FLASH布线存在疑问，请帮忙分析：

(1)DDR布线疑问：根据DDR布线要求(网上有人说的，不知是否正确？)，时钟线阻抗100ohm,其余线(控制线，地址线，数据线)阻抗55ohm，但是，我们一般会在控制线和地址线上串联33ohm电阻，那么，按照信号反射理论来讲，就存在一个问题：走线阻抗(100ohm,55ohm)与33ohm就不匹配，存在阻抗变换现象，这样就会引起信号反射？这样理解是否正确？该怎样理解？
(2)NAND-FLASH布线疑问：NAND-FLASH布线是否需要做等长？有什么要求？
  • 0
    TI__Genius 10941 points

    你好！

    （1）DDR： 阻抗匹配不是仅仅通过电阻的，还有线的阻抗。

    具体可以参考AM335X DATASSHEET中5.6.2.2 DDR2 Routing Guidelines章节

    （2）NAND FLASH：不需要很严格。

  • 0 回复 Gary Wu
    Mastermind 9486 points

    1. 布线这块可以参考一下已经用的板子是怎么布线的，比如beaglebone，网上有PCB的图

    2. nand flash没啥特殊的要求把，只要布线别太离谱就行，本身的速度不高，问题不大

  • 0 回复 Gary Wu
    Prodigy 175 points

    查看了AM335X DATASSHEET中5.6.2.2 DDR2 Routing Guidelines章节，里面有个问题没有说清楚，存在一个疑问：其中要求将串联匹配电阻(典型值22ohm)靠近CPU放置，走线特征阻抗Z0(50ohm~75ohm)定义了从串联匹配电阻到DDR2的走线要求，但是，实际布线时，串联匹配电阻不可能做到完全靠近CPU，串联匹配电阻和CPU之间还存在一段走线，我的问题是：

    (1)串联匹配电阻和CPU间的走线的特征阻抗该如何要求？难道还是Z0(50ohm~75ohm吗)？

    (2)如果串联匹配电阻和CPU之间的走线的特征阻抗要求为Z0（假定为55ohm），那么整个走线(从CPU到DDR2)的特征阻抗是不是55ohm---22ohm--55ohm了呢？那这样的话，岂不是阻抗发生了变化，会导致信号反射吗？

    请老师帮忙解答，非常感谢！！

  • 0 回复 jinlei zhang
    Intellectual 505 points

    区分电阻和阻抗