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C6678 Nand Flash 烧写多核程序的问题,请高手帮忙解答!



CCS版本:CCS5.0

开发板:TMS320C6678L

使用的库:mcsdk_2_01_02_06.

在一个工程下自己编写的多核程序并生成一个.out文件,在调试状态下正常运行,各个核独立完成自己的工作,但是在用NAND FLASH无法烧写。

我按照提示进行了以下工作:

1、IBL烧入EEPROM中,烧写地址为 0x0C000000;提示成功。

2、配置IBL,提示成功。

3、将生成的.out直接改名.bin,no boot 模式下,加载evmc66xxl.gel,利用nandwriter程序进行烧写,烧写地址为0x80000000,提示成功,并且0x80000000也有数据。

断电后改为nand flash启动模式,无法启动。重新进入到调试模式下,发现步骤3写入0x80000000的数据没有了,这是怎么回事?是不是导致无法启动的原因?

  • Nand writer是将代码先load在0x80000000开始的ddr,然后将代码从该处copy到nand flash,所以重新上电后0x8000000处没有数据时正常的。

    请确认是否参考mcsdk_2_01_02_06\tools\boot_loader\examples\i2c\nand\docs\README.txt依次进行操作,即依次烧写IBL、修改配置参数、烧写nand flash并set the boot dip switches to I2C master mode, bus address 0x51 and boot parameter index to be 2

  • 你好,请问你问题解决了么?