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TMS320C6747: 关于nandflash片选地址选择问题

Part Number: TMS320C6747

您好

1:我在ti的datasheet中,看到了这句话,意思是nandflash必须使用cs3嘛?还是说这是在例子6-12中是这样子,其他可以选择其他?

我自己使用c6747开发使用了cs4作为nandflash,可以进行擦写验证,但是有时不稳定,需要修修板子才可以,我不清楚是不是用了cs4的原因

2.nandflash引导下载程序改了相关参数还是不行,现想问一下是否还需要修改的地方

其中使用的是emifa的CS4片选,MFR ID 和DEV ID这个我也进行了修改,在改动程序之后还是引导失败,故想咨询需要改动的地方,请帮我看看是否有遗漏:

  1. 更改了cmd中的MIFA的开始地址,从CS3的0x6200改为CS4的0x6400 ,即下面nand_open的入口地址

  2. 更改了nandflash.h中的NAND_BASE地址,以及NAND_READ_RB地址位0x6400

  3. 更改了DEC6747_FLASH_init()的CS,由CS3改成CS4,但是还是显示引导失败

  • 意思是nandflash必须使用cs3嘛?还是说这是在例子6-12中是这样子,其他可以选择其他?

    不是必须的,可以选择其他。这里只是举了个例子,因为不能和Nor flash,SDRAM的片选信号冲突。另外,如果用nand boot启动的话,只能接EMA_CS[3]


    我自己使用c6747开发使用了cs4作为nandflash,可以进行擦写验证,但是有时不稳定,需要修修板子才可以,我不清楚是不是用了cs4的原因

    请问具体修改板子哪里?硬件吗?

    2.nandflash引导下载程序改了相关参数还是不行,现想问一下是否还需要修改的地方

    从nand flash启动的话,需要接EMA_CS[3]片选信号,还需要看一下bootloader文档里的Appendix B Details of Supported NAND Devices看是否满足支持。
    https://www.ti.com/lit/an/sprabb1c/sprabb1c.pdf