TMS320C6657: NANDFLASH固化烧写程序回读寄存器卡住

您好，您的问题我们升级到英文论坛看下，链接如下：

e2e.ti.com/.../tms320c6657-nandflash-curing-burn-program-read-back-register-gets-stuck

嗯，好的，谢谢。

您好，可以麻烦您再英文论坛回复一下：

使用的软件包为：3034.C6657_directROM_Boot_example2678.C6657_directROM_Boot_example.zip

其次，回读的状态寄存器的值为0xE1,看手册是一个命令没有执行成功。

谢谢。

好的我们跟进给工程师看下。

您好，还请您继续跟进一下：

1.方案中确定了需要使用NAND FLASH，并且没有IBL，以EMIF总线直接连接的NANDFLASH，SPI另有用处了，暂时无法做出修改。

2.在自制板上使用的NANDFLASH芯片的型号是 MT29F1G08ABBFAH4，查阅其手册，发现其对应的spareBytesPerSegment和EVM板有所不同，在nandwrite工程中对其进行了修改。原spareBytesPerSegment =16.

/* These values are setup at run time */
unsigned int busWidth = 8;
unsigned int pageSizeBytes = 2048;
unsigned int pagesPerBlock = 64;
unsigned int spareBytesPerSegment = 32;
unsigned int spareBytesPerPage = 0;

但是，同样的问题依然存在。

谢谢。

您好：

注意到您所说的字节的数量，十六进制的dataUint32，是从导入的.dat文件到0x0c000000时，复制出来的，验证过了，不管我修改dataUint32时，使用十六进制或十进制都一样。

我持续步进跟进时，发现在回读块0的时候，第一次进入readAndCorrectSegment，之后进入readSpareBytes，在scratch[i] = readData8Bit(); 处步进后卡住，也就是说，开始回读的第一个字节就会卡住，不知道是什么原因导致的回读功能错误，能否有一些建议？还是说也许我应该从转头从硬件上寻找进展？

谢谢。

您好，

您看下工程师的新答复。

您好：

1.我们现在手上还没有c6657的evm板。

2.simple_swap_16.dat文件是我通过将需要烧写的.out文件改成simple.out，在这里运行.bat所编译产生的，这一流程按照软件包中docs的描述进行的。

Building the boot image:

 Set C6000 and PDK path in the setup.bat and run setup.bat form windows command line. 

 Change directory to src and build the simple application

 Gmake clean

 Gmake all

 Copy the simple.out to the build folder 

 Set the %IBL_UTIL% path in the nandboot.bat file and run the nandboot.bat file. The simple_swap_16.dat file is used to flash the image to NAND flash.

工程师的问题其实是，您和他使用的程序都是相同的，.... 为什么二进制的大小会不同？ 

您好：

1.我和他使用的编译工具是一样的，但是我们输入到这以工具里的.out文件是不一样的，自然所生成的二进制文件大小也会不一样呀。/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/120/simple.rar

我会发一个.out文件给您，通过编译工具转换成二进制的如图

2.如果您的.dat文件大小只有1KB，那说明您并没有对自己的.out进行转换，而是API包内原有的.dat文件。就像这样，

谢谢。

好的收到了，您可以先看下工程师贴的视频，如果仍没有帮助，下周工作日我们来继续跟进该问题。

您好：

我们现在使用另一块设计相同的板子，但是NAND芯片换成了4G08的，对其进行烧录成功了，问题可能是出现在硬件上的，具体还在排查。

谢谢

好的，那我们会把该帖先关闭掉，如果您之后有需要的话可以随时reopen或者重新发布一个新的帖子。谢谢。