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您好，以前我们用的C6713, 代码是跑在片上的SDRAM上，虽然主频不高，但是整个速率还是可以的，我刚才看了下C6678和C6671,它们好像代码跑在外挂的DDR3上，有没有其他型号，可以让代码跑在sdram上的？谢谢
Feng Dong 说：我刚才看了下C6678和C6671,它们好像代码跑在外挂的DDR3上
因为DDR3内存相对于片上SDRAM来说，具有更大的容量和更高的带宽
Hi @ Gary Lu 我理解错了吗？代码跑在芯片内部(也就是片上RAM)，应该具有更高的带宽吧？也就是速度更快吧？
您的理解是正确的，谢谢您的纠正。将代码运行在芯片内部的片上RAM（SRAM）上可以获得更高的访问速度和更低的访问延迟，SRAM具有较快的存取速度和无需刷新的特性。与外部DDR3等内存相比，片上RAM的访问速度更快。
那么单核的话，C6671能让程序运行在片上RAM吗？如果不能的话，有哪颗可以？同时还要求主频尽可能的高，谢谢
C6671 并没有片上RAM可供代码运行
L2 cash 应该是吧？F28335好像程序是跑在片上RAM，对吗？我描述清楚点，比如F28335，内部有flash,代码是烧写在内部的，运行的时候，是将代码从flash拷贝到RAM中运行，这样子相对将代码拷贝到外部的DDR3，运行速度肯定是快很多，那么 C6671，我知道内部没有flash,需要外挂，那么它的代码是烧写到外部flash,运行的时候，是将代码复制到片内ram还是片外ddr3上内？像前面说的，两个地方运行，速度相差好多，另外是片上ram是否够？
对于 F28335，您描述得很正确。通常情况下，F28335 的代码是存储在内部 Flash 存储器中，而在运行时会将代码从 Flash 拷贝到片上的 RAM 中运行。这样可以获得更快的执行速度，因为 RAM 的访问速度比 Flash 更快。
对于 C6671，代码存储在外部的 Flash 存储器中。在运行时，可以选择将代码加载到片上的 L2 缓存中运行，也可以将代码加载到片外的 DDR3 存储器中运行。并且可以通过使用 ECC来提高外部 DDR3 存储器的可靠性。
加载到片上的 L2 缓存中可以提高执行速度，但需要确保片上的 RAM 大小足够容纳整个程序的数据
