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手册提供了VDD为16.5V、VSS为-16.5V、Vs/Vd为±10V时的leakage current，假如令VDD/VSS都达到22V/-22V，Vs/Vd也接近±22V，leakage current会变化多少呢？如果VDD/VSS都达到8V/-8V，Vs/Vd也接近±8V，leakage current会变化多少呢？
还有个问题，on状态的D端口leakage current要比off状态的要小，这么为什么呢？
您好，
JNYU CHEN 说：手册提供了VDD为16.5V、VSS为-16.5V、Vs/Vd为±10V时的leakage current，假如令VDD/VSS都达到22V/-22V，Vs/Vd也接近±22V，leakage current会变化多少呢？如果VDD/VSS都达到8V/-8V，Vs/Vd也接近±8V，leakage current会变化多少呢？
关于这个问题，我们在数据手册上没看到漏电流随着VDD或者VD，VS的变化曲线，但是当VDD/VSS电压降低时，漏电流也是随之减小的。具体变化多少，抱歉没有这个数据可以参考呢，数据手册给出了几个典型供电电压下的漏电流值大小，可以按照数据手册的测试电路具体测下。
JNYU CHEN 说：on状态的D端口leakage current要比off状态的要小，这么为什么呢？
关于on状态下的漏电流为什么要比off状态下的小，开关器件的手册中都有给charge injection注入电荷这个参数，charge injection指的是控制端比如SEL或EN耦合到输出端的电荷。
在开关导通的通道上，缺乏消耗这部分电荷的通路，这部分电荷流入到漏极电容和输出电容时，这也是我们经常遇到的问题，就是charge injection会导致输出端有误差的原因。
这里有一篇blog介绍charge injection是如何影响到输出误差的：
https://e2e.ti.com/blogs_/b/analogwire/posts/is-charge-injection-causing-output-voltage-errors-in-your-industrial-control-system
好的，谢谢
不客气，那我就把这个帖子关闭了，后续有什么问题再讨论。
