CC2640 不同批次输出功率相差1dB

ljf

Other Parts Discussed in Thread: CC2640, CC2640R2F

Hi sir：

我们发现在同一个PCB板子上，测试条件，测试环境，测试方法、测试速率、测试命令都一样的情况下，DV版本贴的CC2640R2FRSMR ( IC code: TI 03JP7FL G4 ) 在Connect端测试到的功率是3.5dBm， PV版本贴片用的IC(IC code: TI 0CIAN6J G4)在Connect端测试到的功率是2.5dBm ，功率相差1dBm左右。

最初怀疑匹配值有贴错，我们手工对换匹配后，发现功率依然PV版本偏低，没有改善。交叉替换CC2640后，发现功率跟着IC走，DV版本的IC 换到PV版的PCB上，功率就提高了，可以测到3.5dBm。此时DV 版的PCB上换上PV版的IC，功率就变低了，测试结果变成2.5dBm。

查询DataSheet, 发现CC2640R2F maxpower只有typ 值是5dBm(我们射频输出是差分匹配电路），但是没有min值和MAX值。

所以，我们想了解：

1，maxpower 的出厂时测定的 min 值是多少？ max值是多少？ +-多少dB 属于正常范围？

谢谢！

4 年多前

0 Kevin Qiu 4 年多前

TI__Guru* 82220 points

你可以在ble_user_config.c中看到发射功率列表，RSM单端输出版本：

#elif defined( CC2650EM_4XS ) || defined( CC2650EM_4IS )

 // Single-Ended Output

 // Tx Power Values (Pout, IB, GC, TC)

 const txPwrVal_t TxPowerTable[] =

 { { TX_POWER_MINUS_21_DBM, GEN_TX_POWER_VAL( 0x07, 3, 0x0C ) },

   { TX_POWER_MINUS_18_DBM, GEN_TX_POWER_VAL( 0x09, 3, 0x10 ) },

   { TX_POWER_MINUS_15_DBM, GEN_TX_POWER_VAL( 0x0B, 3, 0x14 ) },

   { TX_POWER_MINUS_12_DBM, GEN_TX_POWER_VAL( 0x0E, 3, 0x14 ) },

   { TX_POWER_MINUS_9_DBM,  GEN_TX_POWER_VAL( 0x0F, 1, 0x21 ) },

   { TX_POWER_MINUS_6_DBM,  GEN_TX_POWER_VAL( 0x14, 1, 0x29 ) },

   { TX_POWER_MINUS_3_DBM,  GEN_TX_POWER_VAL( 0x1C, 1, 0x35 ) },

   { TX_POWER_0_DBM,        GEN_TX_POWER_VAL( 0x2C, 1, 0x56 ) },

   { TX_POWER_1_DBM,        GEN_TX_POWER_VAL( 0x1F, 0, 0x6A ) },

   { TX_POWER_2_DBM,        GEN_TX_POWER_VAL( 0x29, 0, 0x9C ) } };

0 ljf 4 年多前回复 Kevin Qiu

Prodigy 150 points

Hi Kevin:

BLE FW是同一个版本。这里仅仅是不同批次的IC 造成的差异。

0 Kevin Qiu 4 年多前回复 ljf

TI__Guru* 82220 points

用SmartRF Studio 7测试下发射端是否一致

0 ljf 4 年多前回复 Kevin Qiu

Prodigy 150 points

Hi KEVIN:
我们不能用这个SmartRF Studio 7 测试。
但我们是用如下命令测试功率，测试方式和上面的工具应该是一样的。
2402： 01 1e 20 03 00 25 0
2440：01 1E 20 03 13 25 0
2480： 01 1e 20 03 27 25 0
而且我们也测试了公共端的无源参数，S21 两个版本差异不大。测试结果如附件。

所以，还是请从芯片产测端来分析。谢谢！

BLE POWER issue-0411.pptx