你好
我用keil工程，debug模式下，在芯片的FLASH区域写入随机数据进行测试，在地址0x00000000区域写入数据，掉电后发现芯片只能读回ID,无法再次进入debug模式，只能通过XDS110进行出厂设置重置后才能重新进入debug。
问下：芯片地址0是否不能写入随机数？还是需要有相关配置后才能写？如果是，麻烦能提供下相关说明吗？
谢谢！
你好
我用keil工程，debug模式下，在芯片的FLASH区域写入随机数据进行测试，在地址0x00000000区域写入数据，掉电后发现芯片只能读回ID,无法再次进入debug模式，只能通过XDS110进行出厂设置重置后才能重新进入debug。
问下：芯片地址0是否不能写入随机数？还是需要有相关配置后才能写？如果是，麻烦能提供下相关说明吗？
谢谢！
我用的 Code Composer Studio 12.3.0
我新建了一个 LCD.h文件
但是，我在main.c里输入 #include "LCD.h" 编译报错
#10010 errors encountered during linking; "gpio_input_capture_LP_MSPM0G3507_nortos_ticlang.out" not built
…
库函数中有一些处理比如上图，"return (adc12->ULLMEM.INT_EVENT1.RIS & ~(eventMask));"中为何eventMask要进行取反操作呢？我总觉得这里写错了，而看下面的“adc12->ULLMEM.INT_EVENT1.ICLR |= (eventMask);”则是正确的写法；请问到底是写错了还是里面有什么特殊的逻辑处理？
请教如何关闭MSPM0G3507写FLASH的ECC功能，我不需要使用ECC功能，曾使用不带ECC的写FLASH函数，但最终还是会有ECC错误。因为我使用FLASH场景是擦除一次，可能写多次（并非常规的擦一次写一次流程），所以会导致写后的数据读出来后并非我写的数据，最终确认是ECC导致的。所以想了解如何关闭ECC功能
使用最新版本的G3507单片机（内部读出温度校准值为754），使用channel12通道采样的AD值为1854，根据TRM上的指导计算出来温度为-153度，这也太离谱了。什么原因呢？是校准值不对吗？
使用最新版本的G3507单片机，目的还是实现LFCLK时钟源LFXT停振后让MCU复位切换到LFOSC，待LFXT恢复正常后再切换为LFXT。一下为部分代码：
目前测试LFXT启动GOOD后无法进入GOOD中断，开启的NMI中断测试当LFXT失效时没有进入此中断，但是MCU复位了（不知道为何LFXT失效后不进中断就复位？）。请相关技术人员能给出一份完整的LFXT失效后如何切换为LFOSC（复位一次也可以），而当LFXT恢复正常后又可以正常的切换回来的方案及代码例程…
使用最新的SDK开发包（mspm0_sdk_1_00_01_03）编写擦写FLASH处理，测试发现只能擦写前32K，后面的都无法擦写；而更换为上一版本的SDK（mspm0_sdk_1_00_00_04）则没有此问题（注：同样的自己编写的flash操作函数，调用不同的SDK底层驱动）；请问是最新的SDK包问题还是需要特殊处理？
在使用CCS12.3时，添加MSP0G307的示例工程，进行软件的启动文件重配置，并生成相关的初始化话.c代码。通过图形化解界面配置好相关的外设接口之后并进行编译，编译时报下图中的错误
cc -c -o syscfg/ti_msp_dl_config.o syscfg/ti_msp_dl_config.c
<builtin>: recipe for target 'syscfg/ti_msp_dl_config.o…
Hi TI teams,
我所用的是MSPM0G3507 launchPad, 下载的例程如下图：
这里面好几个我都试过了，都没能成功通信。
我用的是ttl线与电脑连接，接了TXD RXD GND 和5V线。
用的是串口助手配置如下图：
我想确认我的哪一步是不是出了问题导致我没能成功通信。
另外，我会试着调查其他原因：例如换pin脚，换成UART1，等等…
此型号单片机手册上说的是只有PA0和PA1具有真开漏功能。但是否其它IO口都可以配置为开漏输出高电平呢？
应用场景需求：潮湿环境下，不使用的IO口理想情况下是配置为高阻态（无论其对GND短路或者对VCC短路都不影响整机功耗），手册上推荐不使用的IO口输出固定高电平或者低电平或者上拉输入或下拉输入。如果由于潮湿导致IO口与其周边的反向电平“弱短路”，会导致产生灌电流或者输出电流情况，整机功耗就会提高。所以为了尽量减少潮湿对IO口功耗影响，是否不用的IO口配置为开漏输出高电平模式…
我要做升级功能，boot+APP模式。如果我想设置MCU的中断向量SCB->VTOR为10K地址，如果按照M0的资料（参考下图），应该是SCB->VTOR=0X2800<<7。但实际上我直接写SCB->VTOR=0X2800运行正常。这是为何？
串口时钟使用系统高速时钟9600波特率，配合bc95物联网模组正常通讯。但配置为外部低速晶体后9600波特率，发送的貌似bc95模组可以识别，但模组应答的好多乱码。咋回事？
STANDBY0模式，串口0和串口1时钟源都采用的ULPCLK，为何能正常唤醒MCU呢？按理说低功耗模式下，高速时钟都停止了，串口应该收不到任何数据的。这怎么解释呢
根据技术资料了解到MSPM0系列的MCU外部晶体失效后无自动切换功能，如果低功耗模式下，RTC及WDT时钟源都是LFCLK，当LFCLK失效后，程序如同死机一般，无法进入RTC周期中断，也无法看门狗超时复位。请问如何写代码实现以下功能：1）、开启LFCLK失效中断、并在外部LFXT失效后切换到LFOSC；2）、开启LFXT恢复GOOD中断，并在中断中及时切换为LFXT…
我在使用TI XDS debugger选项时，显示no debug unit found
而当我像MSP432一样选择CMSIS-DAP时可以找到器件，但是报错，信息如下：
This support package doesn't support MSPMO early samples.We recommend
moving to production-quality MSPMOL silicon by ordering samples…
gcc编译器，CCS调试工具，boot跳转app实现方式,下述实现方式没有成功跳转
我在用LP-MSPM0G3507作开发，其中的一个捕获中断一直无法进去。调了半天也调不对。
我会把中断的配置和给他信号的pin脚的代码贴在下面，以及板子上的pin脚连接。
Initial power:
Incapture config: 14900000=(150-1)*100k，应该算的是对的
初始化：
pin：
给他的信号是在systick中断里给的…
最近使用MSPM0G3507开发板调试PWM输出的时候(使用PB13引脚),遇到一些问题,我们想输出一个16k的占空比的方波,实测下来如附件的图.
