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器件型号：CSD19536KTT 大家好、团队、
我的一位客户在以下配置中使用来自竞争对手的100V MOSFET 并寻找替代电源。
它们在 电池的返回路径中具有多个并联的 MOSFET、如下所示、靠近电池。
极右端的负载通过长导线连接、因此显示了使用 Lwire-and Lwire+时的接线电感。
如果使用下图中的开关在负载上存在短路情况、则会在~40uS 下产生1500A 的巨大电感电流尖峰。
在此瞬态时间内、MOSFET 关断、但 VDS 波形看起来在电感反冲期间钳制在120V (尽管 MOSFET 额定值仅为100V)。 即使反复试验此类短路、它们也无法在此类情况下使 MOSFET 失效、尽管其额定电压超过100V。 它始终钳制在120V。
客户想知道、如果所有 MOSFET 都需要这种类型的钳位、或者 TI MOSFET 是否也会显示类似的钳位行为？
在这种情况下、通常需要在内部或外部使用一些额外的钳位来保护 MOSFET 吗？
请帮助澄清问题。
谢谢你。
-Mahendra
