LMP91000 检测一氧化碳(CO-AM)浓度响应很慢并且输出数值不符合预期 求助

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Hi 您好:

我做了一个电路,用来采样一氧化碳浓度。

遇到问题是:输出数值不符合预期,并且一氧化碳响应速度很慢,通气后大概4分钟才达到稳定。

上电后大概半小时才能达到数值稳定。

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具体电路参数如下:

外部参考电压:3V

供电电压:3.3V

寄存器配置如下:

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软件配置如下:

3电极模式; 内部FET不短接;

外部参考源, TIA同向输入端是20%的参考源, 0.6V

增益:7k, 采样电阻10R

lmp91000_set_modecn(LMP91000_FET_SHORT_DISABLED|LMP91000_OP_MODE_AMPEROMETRIC);
lmp91000_set_refcn(LMP91000_REF_SOURCE_EXT|LMP91000_INT_Z_20PCT|LMP91000_BIAS_SIGN_POS|LMP91000_BIAS_12PCT);
lmp91000_set_tiacn(LMP91000_TIA_GAIN_7K|LMP91000_RLOAD_10OHM);
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已经确认的点:
所有寄存器读写都正常,写入后再读出与写入一致;
TIA电压测试:不接一氧化碳探头时,输出0.6000V,数值稳定上下0.2mV左右变化, (3.V * 20%)符合预期;
传感器偏压测试:短接RE和CE时,测量WE(红表笔)对CE(黑表笔)电压:0.358V, 设计是0.360V, 符合预期。
一氧化碳传感器(CO-AM),极化时间也够长。
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测试数据:
接好传感器后,输出为3.0V, 经过超过20分钟的极化,数值稳定在:1920mV作用,还在缓慢下降。
通入300ppm的一氧化碳,经过超过4分钟的等待,(期间数值缓慢下降),数值在1311mV上下,还在缓慢下降。
请专家帮忙看下问题出在哪?
多谢
  • 图片好像没传上来,我再传一遍。

  • 您好,
    与您确认一下:
    1、R14是NC的吗,恐怕这里不能NC,NC的话,LMP91000输出VOUT直接驱动C9 1uF电容了,虽然数据手册中没有标出TIA的容性负载驱动能力,但一般都没有这么大,R14是NC的话,建议去掉C9电容再看下输出情况
    2、上述测试输出的时候ANALOG_SIG是怎么接的,是直接接示波器,还是接后端采集电路得到的上述输出情况?
    3、AGND与GND是连接一起的吗,图中看不出来
  • 多谢回复!

    1. R14没有NC, 接的1k (也试过0R)没有解决问题
    2. ANALOG_SIG接的ADC,mcu读出adc数值打印出来,adc响应很快,也比较准确;
    3. AGND和GND通过0R连在一起的;
  • 项目比较急,在线等回复,多谢拉
  • 您可以读出您的寄存器值,附上来吗
    传感器WE与RE之间的FET是什么作用?
    您可以用示波器测量下LMP91000的输出吗,看是否与AD读出来的一致
  • lmp91000 ready.
    _lock_set, msg:0x0, write val:0x0, read val:0x0

    lmp91000_set_modecn, msg:0x0, write val:0x3, read val:0x3

    lmp91000_set_refcn, msg:0x0, write val:0x97, read val:0x97

    lmp91000_set_tiacn, msg:0x0, write val:0xC, read val:0xC

    _lock_set, msg:0x0, write val:0x1, read val:0x1

    读出来: status ready, modecn:0x03 , refcn:0x97 , tiacn:0x0c
  • lmp91000使用万用表量出的数值和ad采样的数值一致;
    拔掉传感器: ad读数:600 mV, 万用表:0.600V
    插上传感器 稳定后, ad:1769 , 万用表:1.76V
  • WE 与 RE 间的是个PMOS,在模块断电时,有200R的电阻,用来放掉WE和RE之间的电荷,防止传感器极化。

  • 我不明白您所测的一氧化碳传感器的工作条件是什么,它是要求WE和RE之间有恒定的电压还是恒定的阻抗?
    LMP91000调节的是WE和RE之间有恒定的电压,如果您在WE和RE之间加MOS管的话,会改变WE和RE之间阻抗的,虽然没有导通,但它肯定存在一个阻抗,这样会与一氧化碳传感器WE和RE之间的阻抗并联
    另外,虽然MOS管没有导通,但是MOS管SD极间会有漏电流,影响TIA采集的电流,对传感器输出电流造成误差,进而影响TIA输出

    我没有想明白的是即使MOS管影响TIA采集的电流,那应该也是恒定的,不应该一直缓慢下降,所以我怀疑外加的这个MOS管是否影响了传感器的工作条件
  • 多谢回复。

    这个mos管是电化学传感器普遍需要加的。
    MOS漏电流量级很小和传感器电流相比可以忽略了。
    参考TI的EVM:
    www.ti.com/.../snau121a.pdf
    Page7 电路图中的 Q1

    我参考TI和ADI的常见三电极的驱动电路设计都有这个MOS。

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    另外,这个电路驱动氧气探头是基本正常的,存在问题也是设备关闭后要很久才能达到0点。
    所以我的疑问是,这个电路中,为什传感器间的we和re间 在关机状态下累积的电荷泄放的那么慢。
    是电路问题还是配置问题?
  • 这个FET的功能是什么?我的理解是在关机的状态下P-FET是导通的,将传感器的WE与RE短接以泄放电荷,不知道是不是这样?通电工作时是断开的,不影响传感器工作
    您有验证您的P-FET是否正常工作?我看到您使用的FET与EVM中使用的不一样,G极串联的电阻也不一样。不知道您有条件使用EVM用户手册推荐的P-FET以验证您选的P-FET是否合适
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