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在调试中,这个事比较着急,拜托下及时回复
VI_CM这个实际测试对芯片地确实是2V没有问题。
问题1:在VI_CM为2V时,Vin的参数典型5Vpp是不是意味着要出现负压部分?这个芯片不可接受吧
问题2:Vin的参数典型值5Vpp这个是对单端(input_A、B、C、D参考芯片AGND)讲的吧?那么采用2*BTL方式输入为差分输入,差分电压的Vpp是不是就是可以达到10Vpp?
问题3:芯片增益G=32dB,按照供电48V,这个增益与差分输入冲突吗?
着急,在线等,想把输入升高不敢进行,怕烧芯片。
在VI_CM为2V时,Vin的参数典型5Vpp是不是意味着要出现负压部分?这个芯片不可接受吧
输入5Vpp,输入参考电压是2.5V,所以即为0~5V的信号。 VI_CM不是输入参考电压。
Vin的参数典型值5Vpp这个是对单端(input_A、B、C、D参考芯片AGND)讲的吧?那么采用2*BTL方式输入为差分输入,差分电压的Vpp是不是就是可以达到10Vpp
这里指的是单端输入,差分输入的话Vid为10Vpp。
芯片增益G=32dB,按照供电48V,这个增益与差分输入冲突吗?
典型增益为23dB,并且您看Gain=Vout/Vin. 23dB折合成倍数的话大约为14.如果最大5Vpp输入的话是超过供电电压范围了。
您现在输入多大信号?
我现在按DATASHEET上的电路原理图及参数焊接,那个10uF隔直电容前面的差分信号共模电压设置为4V,过了隔直电容后,差分电压的共模电压为2V这个符合芯片特性。问题在于隔直电容前面VRMS=3.2V,过了隔直电容后,示波器DC耦合,看到的波形确实对芯片的AGND有负压部分。
另外在请教:
1.买的这个芯片顶部的散热焊盘上面有一层东西,用镊子轻轻划下,底下的焊盘是光亮的,原装是这个样子吗?那个东西要擦掉吗?
2.这个是第一次使用,所以板子上器件是一点点补的,我现在输出电感没有焊接,等于输出浮空。为什么整板在让TAS5630B复位的状态下是48V/20mA,不复位的状态下,隔直电容前没有信号,上电后电流飙到160mA,芯片还没装散热器,很快过热保护。这个没有输出电流下,功耗计算为7W,正常吗?是2*BTL方式。
先谢谢啊。
实测隔直电容后共模电压2V符合器件参数指标,不给模拟信号输入时,2*BTL两组输出直流偏移均在DC24V,符合供电电源DC48V的一半,这么说是不是实际增益又成了12??????
那个10uF隔直电容前面的差分信号共模电压设置为4V,过了隔直电容后,差分电压的共模电压为2V这个符合芯片特性。问题在于隔直电容前面VRMS=3.2V,过了隔直电容后,示波器DC耦合,看到的波形确实对芯片的AGND有负压部分。
您好,过了隔直电容后,您的意思是共模电压确实和VI_CM是相同的是吗?那如果是这样的话,3.2Vrms的输入信号,2V的共模电压,是有负压存在的。
买的这个芯片顶部的散热焊盘上面有一层东西,用镊子轻轻划下,底下的焊盘是光亮的,原装是这个样子吗?那个东西要擦掉吗?
我手头上没这块芯片的实物,您是在哪里购买的?如果在授权代理商或者TI网上商城买的,那就是没问题的。
关于功耗的话,是建议添加散热器再去验证下,本身这款就是高功率输出的功放器件,所以datasheet也建议外加散热器来散热。
实测隔直电容后共模电压2V符合器件参数指标,不给模拟信号输入时,2*BTL两组输出直流偏移均在DC24V,符合供电电源DC48V的一半,这么说是不是实际增益又成了12??????
TAS 5630的增益是不能自己配置,典型增益大约为14左右=23dB。
事实上,如果您担心器件输出达到饱和,在调试阶段,那么输入信号的幅值可以给低一些,然后验证芯片功能。
关于您提到的VI_CM2就是输入共模电压,因为之前我问过E2E的工程师,说TAS5630的共模电压为2.5V。 我可以再去确认下。
另外,输出电感的选择也要注意,比如您需要输出多大电流,要保证电感的饱和电流大于这个值,否则电感很快就达到饱和,这点也需要注意。
您好,我这边收到的回复如下:
从器件的内部架构来看,VI_CM并没有和输入架构接在一起,看起来并不是输入共模电压。它接的是输入多路复用器,所以看起来更像是和datasheet中所说的比较器的参考电压。 通常来说输入共模电压应该是为1/2VCC 即2.5V。
我这边也和您确认下,示波器的测试波形中,每个格代表的1V,黄色箭头为0V起点,测试下来大概是1V左右是吗?
您上面提到测试的2V共模电压是这个波形吗?
通道1、2起始点重合,每格是1V,测试的值为2V,并没有从纵轴0V开始,是0V下面一格。
另外,这个片子最近上电后SD(shut down)立马为低电平,没有输出了。测试各输出点没有短路,负载也没接,该查那块?
状态输出:ready=0,OTW=1,SD=0,均采用4.7K电阻上拉到3.3V。
这个片子最近上电后SD(shut down)立马为低电平,没有输出了。测试各输出点没有短路,负载也没接,该查那块?
SD在欠压状态下也会拉低的。刚上电瞬间,电压没有完全起来,在欠压状态SD拉低是正常的,您看下等电压完全上电起来之后,SD是否拉高?如果拉高就没问题。
你好,这个绝对不是欠压、过温问题,一旦SD拉低后,芯片感觉就是坏了,断电重启、给RESET均不起作用,已经3颗了。并且我的电源容量充足,上电时MUC、给的典型电路均有复位功能,MCU初始化完成后,复位芯片500ms,再给高的。
说好的过温、过流保护再哪呢?
这个绝对不是欠压、过温问题,一旦SD拉低后,芯片感觉就是坏了,断电重启、给RESET均不起作用,已经3颗了
您好,首先过温和过载的条件下,一旦过温和过载消失,会自动恢复正常工作。欠压或者其他保护条件不能自动恢复。
另外,我想确认的是,当上电完成之后,SD能拉高吗?如果上电完成之后,SD一直输出为低,那说明芯片有问题。
像您说的三片都有问题,您是在哪儿购买的?
关于输入共模电压的问题,美国工程师给我的回复是VI_CM可以作为输入共模电压,所以您这边测试下来2V是正常情况。
这个就不是很合理了,一直以为模拟输入是5V,所以共模电平应该是2.5V,这个2V的条件下,必然产生负压,压缩DAC输出的范围。
另外,芯片相信是没有问题的,第4片换上后,就把来自MCU的复位信号割断线,折腾了半天都没出现昨天反复损坏的原因,所以怀疑是不是复位信号受到功放芯片干扰,反复复位导致功放芯片逻辑错误弄坏芯片的。
这个就不是很合理了,一直以为模拟输入是5V,所以共模电平应该是2.5V,这个2V的条件下,必然产生负压,压缩DAC输出的范围。
是的,我也在确认中,因为TAS5630或TAS5630B是一款比较老的器件了。所以可能参考的资料也比较少。 另外,之前TAS5630B的数据手册最大输入为3.5Vpp,不是5Vpp,后来更新的版本改成5Vpp了。
芯片相信是没有问题的,第4片换上后,就把来自MCU的复位信号割断线,折腾了半天都没出现昨天反复损坏的原因,所以怀疑是不是复位信号受到功放芯片干扰,反复复位导致功放芯片逻辑错误弄坏芯片的。
非常感谢您的反馈,调试当中如果有外围电路的话,确实需要断开外围电路,单纯验证这片芯片的电气性能,包括上掉电,虽然TAS5630 datasheet没有给出严格的上电或掉电时序,但是每块芯片的的power on reset 逻辑是不同的。
您好,关于输入5Vpp,2V共模电压会有负压出现的问题。
美国工程师给的答复是这样的:5Vpp只是说输入引脚最大能够承受的幅值范围,根据手册中Gain=23dB,PVDD最大为52.5V来计算的话,输入信号幅值为3.72V,所以这样计算下来2V的共模输入是合理的。 如果输入真的给了5Vpp的话,输出会出现削波现象。
如果仍有疑问,再联系。