TAS5630B: TAS5630B的参数问题

user1993031 说：

在VI_CM为2V时，Vin的参数典型5Vpp是不是意味着要出现负压部分？这个芯片不可接受吧

输入5Vpp，输入参考电压是2.5V，所以即为0~5V的信号。 VI_CM不是输入参考电压。

user1993031 说：

Vin的参数典型值5Vpp这个是对单端（input_A、B、C、D参考芯片AGND）讲的吧？那么采用2*BTL方式输入为差分输入，差分电压的Vpp是不是就是可以达到10Vpp

这里指的是单端输入，差分输入的话Vid为10Vpp。

user1993031 说：

芯片增益G=32dB,按照供电48V，这个增益与差分输入冲突吗？

典型增益为23dB，并且您看Gain=Vout/Vin.  23dB折合成倍数的话大约为14.如果最大5Vpp输入的话是超过供电电压范围了。

您现在输入多大信号？

我现在按DATASHEET上的电路原理图及参数焊接，那个10uF隔直电容前面的差分信号共模电压设置为4V，过了隔直电容后，差分电压的共模电压为2V这个符合芯片特性。问题在于隔直电容前面VRMS=3.2V，过了隔直电容后，示波器DC耦合，看到的波形确实对芯片的AGND有负压部分。

另外在请教：

1.买的这个芯片顶部的散热焊盘上面有一层东西，用镊子轻轻划下，底下的焊盘是光亮的，原装是这个样子吗？那个东西要擦掉吗？

2.这个是第一次使用，所以板子上器件是一点点补的，我现在输出电感没有焊接，等于输出浮空。为什么整板在让TAS5630B复位的状态下是48V/20mA,不复位的状态下，隔直电容前没有信号，上电后电流飙到160mA,芯片还没装散热器，很快过热保护。这个没有输出电流下，功耗计算为7W，正常吗？是2*BTL方式。

先谢谢啊。

实测隔直电容后共模电压2V符合器件参数指标，不给模拟信号输入时，2*BTL两组输出直流偏移均在DC24V，符合供电电源DC48V的一半，这么说是不是实际增益又成了12？？？？？？

user1993031 说：

那个10uF隔直电容前面的差分信号共模电压设置为4V，过了隔直电容后，差分电压的共模电压为2V这个符合芯片特性。问题在于隔直电容前面VRMS=3.2V，过了隔直电容后，示波器DC耦合，看到的波形确实对芯片的AGND有负压部分。

 您好，过了隔直电容后，您的意思是共模电压确实和VI_CM是相同的是吗？那如果是这样的话，3.2Vrms的输入信号，2V的共模电压，是有负压存在的。

user1993031 说：

买的这个芯片顶部的散热焊盘上面有一层东西，用镊子轻轻划下，底下的焊盘是光亮的，原装是这个样子吗？那个东西要擦掉吗？

我手头上没这块芯片的实物，您是在哪里购买的？如果在授权代理商或者TI网上商城买的，那就是没问题的。

关于功耗的话，是建议添加散热器再去验证下，本身这款就是高功率输出的功放器件，所以datasheet也建议外加散热器来散热。

user1993031 说：

实测隔直电容后共模电压2V符合器件参数指标，不给模拟信号输入时，2*BTL两组输出直流偏移均在DC24V，符合供电电源DC48V的一半，这么说是不是实际增益又成了12？？？？？？

TAS 5630的增益是不能自己配置，典型增益大约为14左右=23dB。 

事实上，如果您担心器件输出达到饱和，在调试阶段，那么输入信号的幅值可以给低一些，然后验证芯片功能。

关于您提到的VI_CM2就是输入共模电压，因为之前我问过E2E的工程师，说TAS5630的共模电压为2.5V。 我可以再去确认下。

另外，输出电感的选择也要注意，比如您需要输出多大电流，要保证电感的饱和电流大于这个值，否则电感很快就达到饱和，这点也需要注意。

你好，关于共模电压你确认好了吗？

前段时间春节放假，这个是实测波形，符合数据手册。

测试是在隔直电容前面输入为0的条件下测试隔直电容后面的电压。

你好，开工了吗？这个事情有进展吗？

您好，我昨天看到您发的测试波形，已经去确认了，目前还没收到回复。 如有回复，我会尽快通知给您。

给您带来不便非常抱歉。

您好，我这边收到的回复如下：

从器件的内部架构来看，VI_CM并没有和输入架构接在一起，看起来并不是输入共模电压。它接的是输入多路复用器，所以看起来更像是和datasheet中所说的比较器的参考电压。 通常来说输入共模电压应该是为1/2VCC 即2.5V。

我这边也和您确认下，示波器的测试波形中，每个格代表的1V，黄色箭头为0V起点，测试下来大概是1V左右是吗？

您上面提到测试的2V共模电压是这个波形吗？

通道1、2起始点重合，每格是1V，测试的值为2V，并没有从纵轴0V开始，是0V下面一格。

另外，这个片子最近上电后SD（shut down）立马为低电平，没有输出了。测试各输出点没有短路，负载也没接，该查那块？

状态输出：ready=0,OTW=1,SD=0,均采用4.7K电阻上拉到3.3V。

user1993031 说：

这个片子最近上电后SD（shut down）立马为低电平，没有输出了。测试各输出点没有短路，负载也没接，该查那块？

SD在欠压状态下也会拉低的。刚上电瞬间，电压没有完全起来，在欠压状态SD拉低是正常的，您看下等电压完全上电起来之后，SD是否拉高？如果拉高就没问题。 

欠压的阈值电压为9.5V。 低于这个电压则都为UVP状态，SD会拉低。

你好，这个绝对不是欠压、过温问题，一旦SD拉低后，芯片感觉就是坏了，断电重启、给RESET均不起作用，已经3颗了。并且我的电源容量充足，上电时MUC、给的典型电路均有复位功能，MCU初始化完成后，复位芯片500ms，再给高的。

说好的过温、过流保护再哪呢？

user1993031 说：

这个绝对不是欠压、过温问题，一旦SD拉低后，芯片感觉就是坏了，断电重启、给RESET均不起作用，已经3颗了

您好，首先过温和过载的条件下，一旦过温和过载消失，会自动恢复正常工作。欠压或者其他保护条件不能自动恢复。

另外，我想确认的是，当上电完成之后，SD能拉高吗？如果上电完成之后，SD一直输出为低，那说明芯片有问题。

像您说的三片都有问题，您是在哪儿购买的？

关于输入共模电压的问题，美国工程师给我的回复是VI_CM可以作为输入共模电压，所以您这边测试下来2V是正常情况。

这个就不是很合理了，一直以为模拟输入是5V，所以共模电平应该是2.5V，这个2V的条件下，必然产生负压，压缩DAC输出的范围。

另外，芯片相信是没有问题的，第4片换上后，就把来自MCU的复位信号割断线，折腾了半天都没出现昨天反复损坏的原因，所以怀疑是不是复位信号受到功放芯片干扰，反复复位导致功放芯片逻辑错误弄坏芯片的。

user1993031 说：

这个就不是很合理了，一直以为模拟输入是5V，所以共模电平应该是2.5V，这个2V的条件下，必然产生负压，压缩DAC输出的范围。

是的，我也在确认中，因为TAS5630或TAS5630B是一款比较老的器件了。所以可能参考的资料也比较少。 另外，之前TAS5630B的数据手册最大输入为3.5Vpp，不是5Vpp，后来更新的版本改成5Vpp了。  

user1993031 说：

芯片相信是没有问题的，第4片换上后，就把来自MCU的复位信号割断线，折腾了半天都没出现昨天反复损坏的原因，所以怀疑是不是复位信号受到功放芯片干扰，反复复位导致功放芯片逻辑错误弄坏芯片的。

非常感谢您的反馈，调试当中如果有外围电路的话，确实需要断开外围电路，单纯验证这片芯片的电气性能，包括上掉电，虽然TAS5630 datasheet没有给出严格的上电或掉电时序，但是每块芯片的的power on reset 逻辑是不同的。