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[参考译文] LMH13000RQEEVM:无法将 LMH13000 板上的 IOUT 设为 0mA。

Guru**** 2812275 points

Other Parts Discussed in Thread: LMH13000RQEEVM, LMH13000

请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/amplifiers-group/amplifiers/f/amplifiers-forum/1618298/lmh13000rqeevm-unable-to-get-iout-on-lmh13000-board-to-zero-ma

器件型号: LMH13000RQEEVM
主题中讨论的其他器件: LMH13000

使用 VSET 上的电位器和 TTL (+3.3V) 输入、将 LMH13000RQEEVM 配置为低电流模式 (1A)。  我未使用 RBIAS(已将 1 和 2 跳接至 AVDD)。  当应用 PWM 输入时、Iout 将以 LVDS (TTL) 频率和 VSET 幅度切换。  但是、IOUT 的低电平、即切换的低电平、不会达到 0mA。  而最小值为 220mA。  启用断电后、Iout 具有恒定的 220mA 直流电流。  它的行为就好像我没有启用 RBIAS 一样。  如何使 IOUT 为 0mA 和断电?   

我的评估板配置如下:  

删除了 R4、R7、R10、R20、R22 C2、C4、C32

为 TTL 安装了 J1。

RBIAS 跳过 1 和 2。 测得的 RBIAS 到 AVDD 20K Ω。

高功率 LED 连接到 J3。

VDD 和 VLD 一起连接至 5.0Vdc(电流限制设置为 2A)。

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    让我澄清一点:
    1) 您的意思是,当您禁用该部件即使 PD 处于高电平(即设备已断电)时,您仍然看到 220mA 从 J_VLD 流向设备 GND? 这是一个正确的陈述吗?  
    2) 在 5V 电源上看到的这个 220mA 电流是 整个 PCB 板上的总电流(即您在台式电源上看到的是 220mA?)   或
    3) 您是否怀疑此 220mA 流入 LMH13000 设备? 如果是将 LMH13000 器件、如何测量该器件并确保确实是流入器件 IOUT 引脚的电流?

    您能给我们一个 IOUT 上的电压波形吗?  

    当器件被禁用时、所有 220mA 都不应流动、
    器件关闭时、能否使用万用表测量 VLD 到 GND 的电阻?  

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    1.是的、我重新设置了开发板:我在断电时看到 205mA 进入 VLD((PD 1 和 2 跳过)。  

    2.是的,在断电的情况下,我在 220mA 上看到了 5V 的电压。

    在断电(断开连接)时、VLD 到 GND 的电阻为 8.3m Ω。

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    Brett

    我怀疑任何去耦电容器损坏、当通过 VLD 为其两端提供电压时、该电容器会泄漏电流。

    要确认这一点、您可以从 EVM 上移除/拆焊 R21、只需在 VLD 连接器上提供 5V 电压、并检查您是否仍看到~μ A 220mA 的电流。

    此致

    Anant

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    您好 Brett、  

    您是否能够查看上述内容。
    我们已经在实验室中自己使用了多个电路板、但没有遇到这个问题。

    您可以通过以下电子邮件 ( Shree@ti.com ) 向我发送您的地址,我们会将新 EVM 直接发送到您 指定的地址。

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    移除 R21 并仅向 VLD 施加 5V 电压并检查 PCB 电流消耗会产生零电流。  在 R21 焊盘上连接一个电流表可产生 249mA(移除 R21 并仅向 VLD 施加 5V 电压)。

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    我订购了另一块电路板、一旦到达就会重新测试 (3/3/26)。

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    Brett

    如果您在使用新电路板时遇到任何问题、敬请告知。 您是否有额外的 LMH13000 器件、您可以在现有电路板中更换这些器件并进行检查。

    此致
    Anant

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    新电路板按预期运行。  我没有额外的 LMH13000。 感谢大家的帮助。  最后要注意的一点是、您是否有有关缓解振铃和过冲的文档?

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    绝对是这样。  
    1) 我编写了 LMH13000 数据表“应用“部分的一些信息。

    2) 抑制过冲和振铃的一条简单经验法则是添加串联电阻 R21 并降低 VLD (J_VLD)。 VLD 越低、R21 越高、振铃和过冲就越小。 但请注意、这可能会影响上升时间。
    3) 您还能否确认 C4、C32、R1 和 R25 是否已组装。

    3) 尽可能降低电感,确保您将 LED/VCSEL/激光安装在 EVM 上,路径最小(环路路径),而不是将其连接到焊接在另一个 EVM 上。
    给我们发送一张 EVM 设置图片。

    4) 如果上述问题没有解决,我们可以帮助您专门调整缓冲器。 我想先问一下什么是 VCSEL、VCSEL 的电感、布线电感、以及您可接受的过冲和所需的上升时间。

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    已安装 C4、C32、R1 和 R25。  我移除了连接到 LED 的 5“导线、并将其直接安装到 EVM 上、这在很大程度上提供了帮助。

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    是否可以从 LMH13000 获得完全干净的方波?  现在振荡为 178mVp-p   

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    是的,清理干净是绝对可能的,你可以看到很多关于瞬态阶跃响应的数据表图。

    你能给我这些数字吗?  
    我会先问您的 LED 是什么、LED 封装的电感、布线电感是什么样的、以及您可接受的过冲和所需的上升时间是多少。

    可以处理过冲、但不希望振铃、也不希望以增加上升时间为代价获得理想的方波。

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    LED 是 OD-110L。  由于电感值过低、无法测量设备的电感。  假设布线电感与 EVM 类似。   

    希望以上升时间为代价的理想方波(相当于同步解调系统的值)。

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    我可以看到您感兴趣的频率是 2.2kHz。  
    因此、我们从减慢系统速度来缩短上升时间开始。  

     为了试验目的  使用下面的旋钮。

    降低 VLD 并不断降低,直到您 中断 FET 的线性运行。  

    通过增加 C 来增强缓冲器  

    增加   串联电阻以抑制 Iout RLC 元件。  

    Anant Sinha 

    还有其他想法吗?  

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    降低 VLD 不会改变振铃。  将 C4 和 C32 增加到 100nF 会使振铃减少一些。

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    为了消除其余的振铃(上升沿)、我必须将 C4 和 C32 增大到 1.0uF、从而将上升沿过度翻转。  将串联电阻增加到 5.1 欧姆时产生的影响很小甚至没有。

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    嗨、Brett、

    当您 开始降低 VLD 时、在您看到的电压下、IOUT 也开始降低。 发生这种情况后、该 VLD 电压下的过冲/振铃行为是如何的?

    此致

    Anant

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    一旦 I 开始降低 VLD(从 5V)、Iout 也开始降低。

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    您好 Brett ,我们可以通过调用详细设计缓冲器,并帮助您获得完美的关键阻尼响应。  
    我的电子邮件 ID 是 shree@ti.com ,我们可以去下周.  

    同时,我还建议将缓冲电阻增加到 1, 5, 10, 20,看看缓冲器是否有助于减慢上升时间.  
    将缓冲器的电容器保持在 uF 范围内、就像您之前所做的那样。  

    当   上述 LED 的峰值正向电压为 2V 并且增加了 500mA 电流和 5 欧姆的串联电阻时、负载两端的总体压降将为 4.5V  

    所以你的  观察是正确的 VLD 不能减少超过 5 到 6V。