器件型号: AMC3302
您好:
我们的设计根据应用手册“辐射衰减最佳实践“创建
发射 EMI “(我们使用铁氧体磁珠产生)、已经确定了传导发射的问题。 我们的测量结果会随每次测量而变化。 我们怀疑干扰通过 HGND 和 INN 之间的铁氧体耦合。 TI 是否执行了传导发射测量? 我们如何解决此问题?
您好、
Marcel
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器件型号: AMC3302
您好:
我们的设计根据应用手册“辐射衰减最佳实践“创建
发射 EMI “(我们使用铁氧体磁珠产生)、已经确定了传导发射的问题。 我们的测量结果会随每次测量而变化。 我们怀疑干扰通过 HGND 和 INN 之间的铁氧体耦合。 TI 是否执行了传导发射测量? 我们如何解决此问题?
您好、
Marcel
您好:Marcel、
您是指这些器件的模拟测量值、还是传导发射结果发生变化?
如果模拟测量发生了变化、您是否怀疑这是传导发射导致的?
您使用的是哪种铁氧体?
对于模拟测量:一般而言、我预计传导发射不会影响器件带宽为~300kHz 的测量结果、而发射将在 MHz 范围内、因此抗混叠滤波器和器件的固有增益/频率特性应该适当地衰减此噪声。 但是、由于您有三个并联传感通道、我建议考虑串扰。 在实验室设置中、您是否能够在测量这三种情况时开启一个通道上的电流?
对于传导发射:为了测试几个方面、我们需要考虑修改采用蓝线的布局。 布线之间可能存在耦合、这会降低当前布局的铁氧体的有效性。 但是、我不希望这会显著改变运行运行。
请帮助澄清问题、以便我进一步提供帮助。
尊敬的 Alexander:
是的、我们能够观察到传导发射会影响我们的模拟测量。 通常、我们可以在 HGND 连接到 INN 的情况下进行稳定的模拟测量、但如果我们按照 HGND 到 INN 应用手册中的建议放置铁链、则在传导发射时测量会显示错误结果。
我们使用的是 Würth μ F 74269244182.
在我们的测量期间、一个通道已经处于负载状态。
我们很乐意对布局进行一些改进 — 您会提出什么建议?


您好:Marcel、
您能否提供一个影响模拟测量的传导发射示例? 是否依赖于通道间?
分流器的检测连接应位于焊盘的中间、通常如分流器数据表中所示。
通常、我们还建议将 HGND 布线到分流器、如您参考的应用手册的图 3-4 所示。
引脚 2-8 连接应优先放在 PCB 的顶部、同样如应用手册的布局所示。
铁氧体磁珠之后有布线返回 IC 附近的布线/平面下方、这将实现电容耦合以绕过铁氧体磁珠。