[参考译文] LM397：LM397

Abhijit

遗憾的是、当比较器的电源为0V 时、没有任何东西可以有效地将输出保持在低电平。  因此、输出将被上拉电阻器拉高。  因此、如果您希望在电源为0V 时实现输出低电平的条件、则需要添加外部电路。  实现此目的的一种方法是将一个 n 沟道 MOSFET 与上拉电阻器串联、并在比较器的输出端添加一个下拉电阻器。  MOSFET 的栅极由比较器的电源驱动。  当电源大于3.3V 加上 MOSFET 的阈值电压时、输出将被拉高。  您提到 IGN+V1为0、12或24V。  因此、该解决方案将在这些离散值下工作。  但是、当 IGN+V1值低于3.3V+VT 时、输出将通过下拉电阻器保持低电平。  该解决方案看起来是这样的。

卡盘

你好、Chuck、

感谢您的快速回复。 我只想向您确认该电路是否适用于以下情况。

1]电路始终需要满足以下条件、即 IGN+V1 = Vcc。 这意味着 IGN+V1=Vcc 将为0V 或12V 或24V。

2]我假设 VPU 为3.3伏。 是这样吗？ 我需要3.3伏才能匹配微控制器电压电平。

3]您是否建议 MOSFET 的栅极应由 IGN+V1=Vcc 电源驱动？ 因此、当 Vcc 小于 MOSFET 的3.3V +阈值时、运算放大器的输出将为零。 当向运算放大器的电源和 MOSFET 的栅极施加0伏的分立电平之一时、就会出现这种情况。

最后、非常感谢大家的大力支持。 非常感谢您进行仿真并向我建议对电路进行修改。

此致、

Abhijit

卡盘、

感谢您的及时回复和仿真设计。 我使用了您提供的仿真文件、并对其进行了一些修改、但当 IGN+V1 = 0伏时、我仍然得到42.94mV (~0伏)的电压。 我取出了 MOSFET 和您添加的下拉电阻器、只是为了检查我使用的初始电路有什么问题。 但是、实际上我得到的是3.3伏。 我可能会做一些错误的仿真。  

我正在附上仿真文件、如果我的分析有任何问题、请告知我。

Abhijit

e2e.ti.com/.../LM397_2D00_1.TSC 

尊敬的 Abhijit：

这种修改是否会达到目的？

e2e.ti.com/.../abhijit_5F00_lm397.TSC

Kai

尊敬的 Abhijit：

修改是否有用？

Kai