[参考译文] THS4551：射频测试

您好、Brian、

这是一个非常有趣的现象。 外部因素有时会导致一些噪声、但63mV 似乎过高。 我有一点很好奇、对于电源、从单元的布局来看、VS-引脚似乎位于顶部、要提供+5V。 很难判断、但可以通过某种方法确认器件是否正确偏置。 器件处于待机状态时的 IQ 是否约等于数据表中突出显示的值？

此致、

伊格纳西奥

伊格纳西奥、您好！

     当 THS4551处于待机状态时、I 测量 Iq = 2.4mA。 当我把电话切换到飞机模式时, 没有噪音。 我认为它应该是射频噪声。  

此外、我还会测试 TI CSA INA241A2 EVB、具有与 THS4551相同的固定增益20、并且我使用相同的 Δ-Σ AMC1303进行检测。  它不存在噪声现象。

噪声似乎存在 EMIRR 问题、并在1ms 间隔内导致了偏移。

此致、

马里奥

尊敬的 Mario：

似乎确实是从器件中拾取某种射频噪声。 不过、我希望您可以确认器件已正确上电。 引脚3是否偏置至5V、引脚6 GND 是否？ 很难判断、但我希望确保器件配置正确。  

此致、

伊格纳西奥

扭曲 Vcc 和 GND 巧妙连接至 TH4551的旁路 MLCC 后、噪声降至1.5mV/0.5mV 、而手机在 TH4551附近的距离为5mm / 20mm。 Vcc 线约50mm。 接下来、我认为这不再是产品 PCB 的设计问题。 感谢您的评论！