[参考译文] TDA4AL-Q1在-40°C 下无法启动

尊敬的 Kevin：

我们的 SoC 工作温度范围是从125°C 到-40°C。 如果你在-40C 以下,我们不能预见可能会发生什么问题。

除了 SOC 之外、还有 eMMC/MMC、DDR 在-40°C 的温度下也可能不起作用。

-基尔西

Keerthy、您好！

很抱歉描述错误。

该问题发生在环境温度-40°C 下、刚好处于温度边界。  

正如我所指出的、由于 DDR/eMMC/SD 卡在该温度下无法正常工作、这可能非常好。

Unknown 说：

请帮助 分析可能导致问题的原因或组件。

[报价]

您是否正在使用 SD/eMMC 进行引导？

-基尔西

尊敬的 Keerthy：

我们将使用 eMMC 进行引导。

根据数据表、使用的 DDR 和 eMMC 在-40°C 下均可用；因此、我们需要您的帮助、为我们提供一些关于如何确定这些元件之间的根本原因的建议。

谢谢你。

尊敬的 Kevin：

eMMC 无法正常运行。 您能否检查以下事项：

• 故障样本是否在室温下工作？
• 如果以上情况为"是"、那么您能否检查在什么低温下发现故障？
• 使用的是哪个 eMMC？ 您能否与 eMMC 供应商确认什么是可能的问题？

-基尔西

尊敬的 Keerthy：

请参考以下答案：

• 故障样本是否在室温下工作？  有
• 如果以上情况为"是"、那么您能否检查在什么低温下发现故障？  稍后检查。
• 使用的是哪个 eMMC？ 您能否与 eMMC 供应商确认什么是可能的问题？  我们使用的 eMMC 为 WD/SDINBDG4-8G-ZA2。

另外、我们可以在 TDA4上试用 DDR 培训工具吗？

尊敬的 Kevin：

下面、我邀请我们的 DDR 专家。

-基尔西

您好！

Unknown 说：

此外、我们是否有可以在 TDA4上试用的 DDR 培训工具？

在 DDRS/LPDDR4初始化期间、训练通过硬件自动进行。 如果我们怀疑解除武装、复员和重返社会、我的第一个建议是：

• 使用调试器连接到器件、并尝试通过写入值并读回这些值来访问 DDR 存储器区域(例如：0x80000000)
• 使用降低的 DDR 频率来查看它是否会影响故障  
• 尝试将 VDD_CORE 增加30mV、看看它是否会影响故障

此致、
Kevin

尊敬的 Kevin：

能否向我提供一种在 SPL 中添加 VDD_CORE 的方法？

此致、

LUC

尊敬的 Kevin：

您能否提供一种在 SPL 中添加 VDD_CORE 的方法？

是否有内存测试工具可以帮助我们分析不同温度下的信号质量。 ？

谢谢你。

尊敬的专家：

我们已尝试 DDR 测试。

请帮助提供以下各项的说明：

1.垂直和水平 刻度。

2.-1错误计数的含义。

3.眼图的标准是什么?

另外,我还有3个问题:

1.在实施 DDR 配置之前是否有任何读取/写入操作？

2. SoC 是否会在引导期间根据温度变化调整 DDR 初始化？

3. TDA4是否可以打印 DDR 训练日志? 如何实现？

有关眼图的清晰视图、请参阅以下内容：

/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/908/DDR_FB96505B3C771657_.rar

您好、Keerthy

这是一个紧急问题、客户、因为此问题涉及待发产品

您能给我们一些建议吗？

同时我也在研究这个问题。

任何更新和相关的主题,我将在这里发布:

非常感谢

Gibbs

相关主题、(持续)

https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors---internal/f/processors---internal-forum/1461031/tda4al-q1-how-to-read-the-meaning-of-ddr-eye-diagram

尊敬的 Kevin：

另外,我还有3个问题:

1.在实施 DDR 配置之前是否有任何读取/写入操作？

2. SoC 是否会在引导期间根据温度变化调整 DDR 初始化？

3. TDA4是否可以打印 DDR 训练日志? 如何实现？

1)我不确定我是否理解这个问题。 如果 LPDDR4存储器未初始化、则无法对其进行读取或写入、并且尝试可能会导致不良行为。 因此、在 DDRSS 初始化之前、不应尝试读取或写入 LPDDR4。  

2)我不确定我是否完全理解这个问题。 写入 DQ 训练对温度很敏感；因此、需要定期重新训练写入 DQ 延迟、以补偿系统环境中的温度变化。 DDR 寄存器配置工具应从工具版本0.5.0 (或更高版本)开始自动启用定期写入 DQ 训练。  

3)你可以用下面的二进制转储训练信息。 该二进制文件应通过 CCS 加载到 R5内核中。 将在 CCS"Console"窗口中提供输出。  

e2e.ti.com/.../tda4x_5F00_lp4_5F00_debug.zip

此致、
Kevin

尊敬的 Kevin：

感谢您的答复。

另外、请帮助提供转储培训信息的指南。

尊敬的 Kevin：

我们已将调试 UART 端口移至 UART9。

另请考虑这一点。

谢谢你。

大家好、Kevin S

几个问题、

(1)"DDR 裕度工具"的二进制文件是否是？  

(2)根据第1项、如果这不是  DDR 裕量工具、我们可能需要相关指南来指导我们如何使用它。

(3)他们需要源代码、因为他们已经将他们的"调试打印"移出到接口 UART 9。 您可以将源代码发送给我吗？

谢谢你。

Gibbs

尊敬的专家：

是否有任何信息更新？

此外、我们还有几个问题要问。

1.根据 DDR 供应商的建议,不同 DDR 和平台的 ODT 参数可能不同。

  您能帮助提供 TDA4AL 的 ODT 参数吗？

  测量要选择的正确 ODT 选项的指南。

2.如果使用错误的 ODT 参数会发生什么情况?  

3. DDR 供应商提出的问题是、尽管 DDR 设置中的 tDQSCK 范围可以设置为1.5ns 到3.5ns、

   程序或 SOC 可以接受1.5ns 和3.5ns 的值吗？   

4.帮助提供有关转储 DDR 培训信息的指导。 结果对于我们调整 DDR 设置可能至关重要。

谢谢你。

Kevin Kuo

Gibbs, Kevin

3)你可以用下面的二进制转储训练信息。 该二进制文件应通过 CCS 加载到 R5内核中。 将在 CCS"Console"窗口中提供输出。  

tda4x_lp4_debug.zip

上述二进制文件不使用 UART。 它使用 CCS"Console"窗口。 换句话说、终端输出通过 JTAG。 您只需使用此二进制文件即可获得 JTAG、Code Composer Studio 以及兼容的仿真器(例如 XDS110)。  

在 DDRS/LPDDR4初始化期间、训练通过硬件自动进行。 如果我们怀疑解除武装、复员和重返社会、我的第一个建议是：

• 使用调试器连接到器件、并尝试通过写入值并读回这些值来访问 DDR 存储器区域(例如：0x80000000)
• 使用降低的 DDR 频率来查看它是否会影响故障  
• 尝试将 VDD_CORE 增加30mV、看看它是否会影响故障

以上步骤是我建议的后续步骤、我看到的唯一相关的回复是请求帮助修改 VDD_CORE。 很遗憾、如果您不确定如何处理、我必须准备一个补丁文件、而且这需要一些时间。  

使用降低 DDR 频率应该是一个非常快速和容易的调试步骤、如果您不知道如何更新 u-boot 中的 DDR 配置-更新配置和重新编译 tiboot3.bin 文件不需要超过5到10分钟(不需要重新构建其他文件)。

同样、使用 JTAG 在故障发生后插入 DDR 内存区域(这比使用降低的 DDR 频率更容易/更快的调试步骤)也是如此。

此致、
Kevin

尊敬的 Kevin：

感谢您花时间为我们提供帮助。

我尝试过使用 CCS 执行电子眼图程序、 我跳过了 UART 初始化、最后一步、我将文件替换为 tda4x_lp4_debug.out . 我尝试在这两者上运行它 MCU_R5 和 MAIN_R5 、但控制台始终显示以下消息：

Autorun：目标未运行、因为符号"main"未定义

您能否为我提供所需的正确步骤或配置顺序、以便我能够成功完成数据转储？

此致、
LUC

尊敬的 Kevin S.

当发生故障时、我们曾尝试使用 JTAG 到达 TDA4；但是、XDS110显示无法到达 TDA4。

此外、让我 解释一下我们为何要关注复员方案。

1.我们对 DDR 尝试了 ABA 测试方法, 结果发现 NG 现象跟 DDR 器件有关。

2.我们已经尝试比较了 NG DDR 在不同环境温度下的 DDR 眼图。 尽管  发生问题时 XDS110无法到达 TDA4、但我们仍然得到了 NG DDR 器件在25度和-25度下的眼图、因为它仍然是可引导的。 结果看起来与正常 DDR 截然不同。 正常的 DDR 可以在25度和-40度下获得类似的眼图结果。

25度：

-25度：

3.我们试图从同一个 SD 卡的正常和 NG DUT 启动,发现 NG DUT 仍然无法在-40度下启动,这意味着启动设备不会 影响故障现象。  

根据上述测试结果 、我们得出结论、需要进行与 DDR 相关的进一步验证。

您好！

Unknown 说：

自动运行：未定义符号"main"时目标未运行

通过 CCS 加载二进制文件时、编译器经常会尝试"自动运行"二进制文件并在"main"函数处停止。

在这种情况下、CCS 无法找到符号"main"、因此不会执行任何代码、并会在代码入口点停止。 这不是问题。

您只需按下"Resume"按钮、代码就会执行。 或者、您可以从下拉菜单中选择"Run"->"Resume"。  

此致、
Kevin

您好！

Unknown 说：

虽然 XDS110 在 问题发生时无法到达 TDA4、但我们仍然得到了低于25度和-25度的 NG DDR 设备的眼图、因为它仍然是可引导的。

25度温度下的图看起来完全损坏、这意味着对 DDR 的读取/写入无法正常运行。 当您说"因为它仍然可引导"(-25度)时、您的 NG 板在-25°C (从 DDR 执行软件)下工作正常吗？

如果在25°C 下引导、然后缓慢降低温度、会出现什么情况？  

您是否能够使用较慢的 DDR 频率进行测试、以查看问题是否消除？  

此致、
Kevin

尊敬的 Kevin S.：

是的、NG 板在-25°C 下工作正常
您是说我们可以尝试通过该过程捕获眼图、在25°C 下启动并缓慢降低温度吗？  
我们将尽力为您提供反馈。

我们曾尝试降低 DDR 频率、但这会直接导致 DUT 不可引导。
除了频率、大家可以帮助说明还应该调整哪些参数吗？

谢谢你。

您好！

Unknown 说：

是的、NG 板在-25°C 下工作正常。

如果电路板运行正常(从 DDR 运行的软件应用程序)、则表示 DDR 工作正常。  我不知道为什么眼图显示为全红色(仅在-25°C 时)、但如果电路板正常运行、则肯定还有其他因素(除温度外)导致该行为。

Unknown 说：

我们已尝试降低 DDR 频率、但它直接导致 DUT 无法引导。
除了频率之外、您能否帮助建议还应调整哪些参数？

您是否重新生成了寄存器设置？ 无论何时更改 DDR 频率、都需要使用 DDR 寄存器配置工具、并重新生成新的 DDR 寄存器设置。  

您尝试的频率是多少？ 错误是什么？ 是否在室温下启动？  

此致、
Kevin

尊敬的 Kevin：

我们在室温下对以下5种 DDR 设置执行 DDR 转储训练信息程序、并记录日志。

1. DDR 配置工具0.10 +定制 DDR  时序设置+定制 ODT 设置

2.  DDR 配置工具0.10 +自定义 DDR 时序设置+默认 ODT 设置、仅更改以启用 CK ODT 覆盖

3. DDR 配置工具0.11 +自定义 DDR 时序设置+默认 ODT 设置

4. DDR 配置工具0.11 +定制 DDR 时序设置+定制 ODT 设置

5. DDR 配置工具0.11 +自定义 DDR 时序设置+默认 ODT 设置、仅更改以启用 CK ODT 覆盖

e2e.ti.com/.../20250203_5F00_DDR-Log.zip

您能否告诉我我们可以使用哪个版本、或者是否需要进一步调整？

谢谢你。

LUC

您好！

从日志文件的快速抽查可以看出、在不同的设置下、训练的值似乎没有太大的差异。

此致、
Kevin

尊敬的 Kevin S：

从日志文件的快速抽查可以看出、在不同的设置下、训练的值似乎没有太大的差异。

我们是否应该在-25°C 下进行试验并比较结果？  结果是否受温度影响？

您能帮助我们快速解释一下日志吗？

谢谢你。

尊敬的 Kevin S：

我们已在-40°C 下执行了 DDR 转储培训信息计划

结果看起来不同。 请帮助快速浏览。  

谢谢你。

e2e.ti.com/.../BWLGYA004GN6ZC_5F00_20250122_5F00_ODT_5F00_DEF_5F00_ENA_5F00_CKODT_5F002D00_40_5F00_degree.zip

大家好、 Kevin Kuo 和 Luc

我需要澄清一些东西。

问题1：  

我假设这5个(参数)实验可在正常温度下工作、对吧？

1. DDR config tool 0.10 + custom ddr timing setting + custom ODT setting

2. DDR config tool 0.10 + custom ddr timing setting + default ODT settings, only change to enable CK ODT Override

3. DDR config tool 0.11 + custom ddr timing setting + default ODT setting

4. DDR config tool 0.11 + custom ddr timing setting + custom ODT setting

5. DDR config tool 0.11 + custom ddr timing setting + default ODT settings, only change to enable CK ODT Override

问题2：  

取决于您对此文件的最新发布"BWLGYA004GN6ZC_20250122_ODT_DEF_ENA_CKODT_-40_Dege.zip"

根据"问题1"和5个测试项、此实验的设置参数是什么？

DDR 是否工作？

谢谢

Gibbs

亲爱的吉布斯：

请参阅以下答复。

我假设这5个(参数)实验可在正常温度下工作、对吧？

有。  

根据"问题1"和5个测试项、此实验的设置参数是什么？

DDR 是否工作？

该实验的设置为"DDR 配置工具0.11 +自定义 DDR 时序设置+默认 ODT 设置、仅更改以启用 CK ODT 覆盖"、DDR 不起作用。

尊敬的 Kevin S.和 Gibbs：

在-40°C 下检查上述所有设置后

我们发现设置"DDR config tool 0.10 +自定义 DDR 时序设置+默认 ODT 设置、仅更改以启用 CK ODT Override "可以在-40°C 下通过 NG DDR 正常启动。

您能解释一下原因、并就此配置下会受影响的方面向我们提供一些建议吗？ 是否会有任何风险？  是否应调整其他参数以获得更好的结果？

DDR 配置设置、-40度下的 DDR 训练转储信息和-40度下的眼图如下所示：

e2e.ti.com/.../ddr-v3.rar

如果需要更多信息或实验进行分析、请告知我们。

谢谢你。

尊敬的 Kevin S.和 Gibbs：

是否有任何关于该问题的更新？

尊敬的 Kevin：

我从 Gibbs 的理解是、当您将 CK ODT Override 设置为"disable"(以及其他更改)时、问题就会消失。 这是正确的理解吗？ 我们还在 TI EVM 上将 CK ODT 覆盖设置为"禁用"。 据我所知、当您在每个等级上有单独的时钟时、便会使用此特性、而 TDA4x 设计中没有这种特性。

可以在 TDA4AL 上使用 v0.10.0。  

此致、
Kevin

尊敬的 Kevin S.：

请让我为您总结一下实验结果：

1. DDR 配置工具0.10 +自定义 DDR 时序设置+自定义 ODT 设置(失败)

2. DDR 配置工具0.10 +自定义 DDR 时序设置+默认 ODT 设置、仅更改以启用 CK ODT 覆盖(通过)

3.  DDR 配置工具0.10 +定制 DDR 时序设置+默认 ODT 设置 (通过)

4. DDR 配置工具0.11 +自定义 DDR 时序设置+默认 ODT 设置 (失败)

5. DDR 配置工具0.11 +自定义 DDR 时序设置+自定义 ODT 设置 (失败)

6. DDR 配置工具0.11 +自定义 DDR 时序设置+默认 ODT 设置、仅更改以启用 CK ODT 覆盖 (失败)

如您所见、CK ODT 不是主要原因、但 DDR 配置除外。 工具版本和 ODT 设置；因此、我们想知道  

1. v0.10.0与 v0.11.0有何区别? 如果不更新配置将会产生什么影响。 工具版本？

2.由于 ODT 设置确实对 DDR 有一定影响,我们提供的培训转储信息和眼图对 ODT 设置是否有任何改进? 我们希望知道可以确保 DUT 稳定性的正确设置。

请协助回答上述问题。

谢谢你。

尊敬的 Kevin S.和 Gibbs：

感谢您的答复。

我们仍有一个问题需要解决。

由于该问题看起来与 DDR 设置直接相关、为什么日志显示不同的结果并错误地导致我们连接到 eMMC 器件？