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器件型号：RM57L843 您好！
在仔细阅读诊断库代码之后、我没有发现 SRAM/FALSH 具有针对 RM57Lx 器件的故障注入测试类型。
您能帮助检查一下吗？ 如果真的不是、如何为他们执行故障注入？
谢谢。
您好！
在仔细阅读诊断库代码之后、我没有发现 SRAM/FALSH 具有针对 RM57Lx 器件的故障注入测试类型。
您能帮助检查一下吗？ 如果真的不是、如何为他们执行故障注入？
谢谢。
您好、Shenruming、
SDL 具有相同的针对 RM57x 和 TMS570LC43x 的自检 API。
您好、QJ：
但是、您不给出如何为 RM57Lx SRAM/FLASH 测试注入故障的答案。
我们无法为 RM57Lx 器件设置"_SL_FAULT_INJECT=true"。
我不太清楚"我们采用同样的方式进行闪存 ECC 自检和闪存 ECC 错误故障注入"的含义。
对于 RM57Lx、它只支持测试类型"flash_ecc_test_mode_1bit/flash_ecc_test_mode_2bit"。
我们似乎只能对 RM57Lx 闪存 ECC 进行自检。 如何为 RM57Lx 闪存 ECC 错误进行故障注入？
您好、QJ：
不仅 SRAM/闪存、CCMR5F 模块还具有同样的问题。
XXX_ERROR_FORCING_TEST 和 XXX_ERROR_FORCING_TEST_FAULT_INject 之间的区别是什么？
您 强调了它们是相同的、对于故障注入而言也是相同的。 为什么不将它们合并到一个测试中、因为它们是相同的测试？
对于 示例代码中的以下4个 CCMR5F_CPUCOMP 测试、您只需从回调函数获得 xxx_Inject 测试的测试结果、并从
其他3个测试的故障信息结构。
DMA 与 CCMR5F_CPUCOMP 相同。
此外、针对 SRAM/闪存的所有错误强制测试通过 failinfo 结构给出测试结果、而不是 ESM 回调函数。
那么、您能强调 XXX_ERROR_FORCING_TEST 和 XXX_ERROR_FORCING_TEST_FAULT_INject 之间的区别吗？
您好、QJ：
您是否是说 "CCMR5F_CPUCOMP_ERROR_CHING_TEST"用于 CCMR5F CPU 比较故障注入
是否将"CCMR5F_CPUCOMP_self_test_error_forcing"用于 CCM5F 自检故障注入？
并且在错误强制完成后、ESM 错误标志"ESM_G2ERR_CCMR5_CPUCOMP_ERR"和"ESM_G1ERR_CCMR5_selftest"将相应地出现。 对吧？
如果是、"CCMR5F_CPUCOMP_ERROR_FORMATCHING_TEST_FAULT_INSD"与"CCMR5F_CPUCOMP_ERROR_FORMATCHING_TEST"相比如何？
它们是否共享相同的 ESM 错误标志"ESM_G2ERR_CCMR5_CPUCOMP_ERR"？
此外、如何选择"SRAM_ECC_ERROR_PING_1bit"？
有两个相关的 ESM 错误标志"ESM_G1ERR_L2RAMW_CORRERR"和"ESM_G2ERR_L2RAMW_Uncorr_B" 。 应该在下一张幻灯片中看到
是否完全强制出现"SRAM_ECC_ERROR_FORCE_1bit"错误？
如果可能、您可以单独介绍如何使用以下4个测试选项逐项？ 何时会设置2个 ESM 错误标志呢？ 这非常 令人困惑。
您好！
CPU CCM-R5F 可运行在下列四个运行模式中的一个模式下：
1.活动比较锁步模式
2.自检
3.错误强制
4.自检错误强制
"CCMR5F_CPUCOMP_ERROR_FORMATCHING_TEST" [/报价]这用于#3错误强制模式。 CCMR5F_CPUCOMP_ERROR_CHING_TEST_FAULT_INject 也用于#3错误强制模式
CCMR5F_CPUCOMP_SELF_TEST_ERROR_FORIMITH[/QUESCE]用于#4自检错误强制模式。
[/quote]并且在错误强制完成后，预计 ESM 错误标志"ESM_G2ERR_CCMR5_CPUCOMP_ERR"和"ESM_G1ERR_CCMR5_selftest"将相应地出现。 对吗？可以。
[/quote][/quote]
ESM2.7由可纠正的 ECC 错误和不可纠正的 ECC 错误设置：
您好、QJ：
这是 Jagadish 在另一个帖子中的回复。
它指出、 "SRAM_ECC_ERROR_FORCING_1bit"将触发可纠正的错误、 "SRAM_ECC_ERROR_FORCING_2BIT"将触发不可纠正的错误。
你同意吗？
您好、沈明、
SRAM 使用单位校正双位检测(SECDED)方案由数据路径上的 ECC 进行保护。 ECC 或数据上的任何一位错误都将被自动纠正。
生成2位 ECC 错误(ESM 3.3)非常容易：
1.打开 CCS 内存浏览器、显示0x08000000 (DATA)和0x08000000 (ECC)的内容
2.将0x0000000000000000写入0x08000000、0x08000000处的 ECC 模式变为0x0C0C0C0C0C0C0C0C
3.禁用 ECC 检测和校正： sl_l2ramwREG->RAMCTRL = 0x05050005；
4.将0x0000000000000003写入 0x08000000
5.启用 ECC 检测和校正： sl_l2ramwREG->RAMCTRL = 0x0505000A；
6.从0x08000000读取数据，-->生成2位 ECC 错误(ESM 3.3)且 RAMErrStatus = 0x80
SRAM 自检将生成诊断 ECC 错误：
