[参考译文] TAS5825M：TAS5825器件下的散热过孔问题

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请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

器件型号：TAS5825M

您好、Sirs、

正如我们在 TAS5825 EVM 上看到的、TAS5825器件 U1下有11个散热过孔、TAS5825器件 U2下有13个散热过孔。您是否会建议 TI 关于数字和尺寸(直径0.33mm？)的官方建议？散热过孔的热性能呢？

谢谢、此致、

陈耀恩
2018年9月5日

0 admin 7 年多前

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您好、Wayne、

热性能受一系列因素的影响、包括过孔数量、铜厚度、层数、接地平面图、外部组件的放置。

我建议将客户电路板与 EVM 电路板进行比较。

对于您的问题、我建议使用13个散热过孔和0.5mm 直径。

此致、

Alix Wan

0 admin 7 年多前

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感谢您的建议。 Alix...Wayne Chen

0 admin 7 年多前

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您好、Alix、

您是否会建议 TAS5825 EVM 上的两个散热过孔之间的距离、以供客户参考封装设计？

谢谢、此致、

陈耀恩

2018年9月10日

0 admin 7 年多前

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您好、Wayne、

请参阅随附的文件以了解所有需要的信息。您随附的图片基于 EVM、我请求提供原始设计文件、然后将通过电子邮件发送给您。

此致、

Alix Wan。

0 admin 7 年多前

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您好、Alix、

感谢您的关注。本文档中有九个0.2mm 散热过孔。客户能否按照您建议的本文档继续使用九个散热过孔？
请相应提供13个过孔的设计信息。

谢谢、此致、

陈耀恩
2018年9月20日

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