[参考译文] TAS2562YFPEVM-DC：TAS2562输出0dBFS 时的 PWM 波形异常

尊敬的 GaN：

您是否在 J12/J11上的 PPC3-EVM-MB 中应用4.2V 电压？ 还是通过移除 VBAT 跳线直接连接到 TAS2562-EVM-DC？

请注意、PPC3-EVM-MB 的额定电压仅低至4.5V。 如果您需要提供较低的电压 、则需要像通常那样提供5V 电压、然后移除 TAS2562 EVM 上的 VBAT 跳线、并将外部电源连接到 IC 的引脚。

此致、
伊万·萨拉扎尔
应用工程师

在我的应用中、我已经移除 VBAT 跳线 J6并连接外部电源。

当 VBAT 低于4.2V 时、我应该配置哪个寄存器？在我的 示波器屏幕截图中、绿色 PVDD 稳定、但蓝色 PWM 有错误的可能性。

尊敬的 GaN：

尽管可以尝试禁用欠压保护等功能(如果启用)、但较低的电源电压不需要特殊配置。
我会仔细检查一下、很快就会回到您的身边。

此致、
伊万·萨拉扎尔
应用工程师

我‘m 欠压保护对这种异常没有影响、我已经尝试关闭此保护。

我还替换了其他 tas2562yfpevm 硼,这种异常仍然发生。

尊敬的 GaN：

我能够使用默认设置和4.2V 电池直接连接到 VBAT 进行测试。 请参阅以下捕获：

此致、
伊万·萨拉扎尔
应用工程师

我的工作环境与您相同。 您的负载是多少？

您可以尝试仅设置 BAT=4V 和 BAT=3.6V、并且 还可以测试 THD + N VS 频率。

尊敬的 GaN：

我使用的是8 Ω+33uH 负载。
我将设置测试、并在明天下午返回结果。

此致、
伊万·萨拉扎尔
应用工程师

尊敬的 GaN：

附件为测试结果：

关于 VBAT=3.6V 的一个特别说明：默认设置将具有更高的 THD + N、如深蓝色暗线曲线所示。 随着以下 PPC3捕捉的过程增加升压限值后、性能会提高、如亮蓝色曲线(约0.1%)所示。

此致、
伊万·萨拉扎尔
应用工程师

这是我的环境、

尊敬的 GaN：

我明天会给大家拍照分享。

此致、
伊万·萨拉扎尔
应用工程师

尊敬的 GaN：

我们使用这些电阻器/电感器负载、连接到8 Ω 侧的两个4 Ω 电阻器串联。

此致、
伊万·萨拉扎尔
应用工程师

在您的图片中、负载似乎是1个8欧姆和1个4欧姆串联、那么您的测试负载是12欧姆？

事实上我也买了一些2564 EVM,我发现它在 THD 4 V 的情况下,0dBFS 的性能非常差,VBAT+N 只有5 %,与数据表中描述的0.1%有一个显著的差异。

尊敬的 GaN：

是的、我说错了。 8Ohm 仅连接8Ohm 电阻。 4 Ω 仅连接4 Ω。 两者串联是不可能的。

请参阅上一篇文章、 VBAT = 4V 仍然具有 THDN <0.1%： (+) TAS2562YFPEVM-DC：当 TAS2562输出0dBFS 时 PWM 波形异常-音频论坛-音频- TI E2E 支持论坛

也许您可以像我建议的那样尝试设置升压电流限制。

此致、
伊万·萨拉扎尔
应用工程师