[参考译文] CC2340R5-Q1：如何修改硬件设计以满足&quot；下降电源电压压摆率&lt；1mV/us&quot；？

您好、James、  

我已将 TT 分配给一位专家。 他们很快就会回复您。  

谢谢、
Isaac

让我仔细检查一下：将肖特基二极管放置在 10µF 电容器和 100nF 电容器之间是否可行？  将 10µF 电容器放置在 100nF 电容器旁边、这样是否可以满足您的要求？

您好、Andrew、  

将肖特基二极管 µs 在 10µF 和 100nF 电容器之前、会产生非常慢的电源电压下降压摆率、约为 0.0054mV/μ s。 这会引起其他副作用吗?

根据我们的产品系统规格、所有电源应在 200ms 内降至 100mV 以下；本设计已经超出了这一标准。

您是否建议在 10µF 电容器和 100nF 电容器之间放置肖特基二极管？

将 10uF 电容器放置在尽可能靠近 100nF 电容器和引脚 25 的位置是否仍然更重要？

Tinghan、

较慢的电源电压压摆率不应对 CC 器件产生负面影响。

您是否可以从设计中移除肖特基二极管并了解由此产生的压摆率？ 我们不要求在我们器件的 VDDS 电源线 中包含肖特基二极管、我们通常不会在其他客户的设计中包含肖特基二极管。  

将 10uF 电容器和 100nF 电容器尽可能靠近引脚 25、这对于 CC 器件正常运行并满足数据表中详细说明的规格至关重要。  

此致、

Andrew

您好、 Andrew、  

µs 肖特基二极管后的压摆率为 7.59mV/μ s、远 µs 数据表中的 1mV/μ s 规格。

µs 您的陈述“如果压摆率超过最大建议值 1mV/μ s、直流/直流引脚上的电感器可能会产生瞬变或反电动势、从而可能超过器件的额定最大值、从而导致器件性能下降和潜在损坏“、并且需要使 10µF 和 100nF 电容器尽可能靠近引脚 25、因此最好的解决方案是 10µF 和 100nF 电容器。

Tinghan、

我刚刚在我们的参考设计中测量了压摆率、该设计在引脚 25 附近仅配备了 10uF 和 100nF 电容器、而我测量的是 0.279mV/us 的下降电源压摆率。 我使用台式电源向电路板施加 3.3V 电压、并测量 10uF 电容器以及电路板配备的 3.3V 接头引脚上的电压、我测量类似的压摆率。 能否提供有关如何测量压摆率以及 CC 器件的电源是什么的更多详细信息？