请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
部件号:TMS320F28386D 工具/软件:
您好:
我目前正在从事 TMS320F28386D 工作、需要了解 SRAM 的内部机制、以确定它们在多核环境中的潜在干扰。
对于所有 SRAM 和存储器、它们是否包含行缓冲区或任何其他能够生成多核干扰的优化机制?
谢谢、
Alexy
This thread has been locked.
If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.
工具/软件:
您好:
我目前正在从事 TMS320F28386D 工作、需要了解 SRAM 的内部机制、以确定它们在多核环境中的潜在干扰。
对于所有 SRAM 和存储器、它们是否包含行缓冲区或任何其他能够生成多核干扰的优化机制?
谢谢、
Alexy