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[参考译文] TMS320F28386D:TMS320F28386D SRAM 的设计和功能

Guru**** 2325560 points
Other Parts Discussed in Thread: TMS320F28386D
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。

https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1514361/tms320f28386d-tms320f28386d-sram-design-and-capabilities

部件号:TMS320F28386D

工具/软件:

您好:

我目前正在从事 TMS320F28386D 工作、需要了解 SRAM 的内部机制、以确定它们在多核环境中的潜在干扰。
对于所有 SRAM 和存储器、它们是否包含行缓冲区或任何其他能够生成多核干扰的优化机制?

谢谢、
Alexy

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    我对此问题不清楚。 这些是单端口存储器块、来自多个启动器的访问使用轮询方案进行仲裁、以随时提供单次访问。

    Vivek Singh

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    谢谢、我了解访问方案、但我想知道 SRAM 内是否有任何缓存/缓冲区、或者是否直接访问存储块(本身不包含缓冲区或此类缓冲区)?

    Alexy

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    无缓存。  直接访问存储器。

    Vivek Singh

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    感谢您的回答!

    Alexy