主题:C2000WARE 中讨论的其他器件
工具/软件:
尊敬的专家:
我向我的客户询问这个问题。 它们需要4KB EEPROM、擦除时间需要 100万倍。
您能否帮助:
1.如果我们需要4KB 仿真 EEPROM、 实际需要多少闪存?
2.我们的 EEPROM 有多少次擦除时间? 我们有任何测试数据吗?
BRS
Shuqing
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工具/软件:
尊敬的专家:
我向我的客户询问这个问题。 它们需要4KB EEPROM、擦除时间需要 100万倍。
您能否帮助:
1.如果我们需要4KB 仿真 EEPROM、 实际需要多少闪存?
2.我们的 EEPROM 有多少次擦除时间? 我们有任何测试数据吗?
BRS
Shuqing
您好:
1.如果我们需要4KB 仿真 EEPROM、 实际需要多少闪存?
-请参阅 第3代 C2000实时控制器的 EEPROM 仿真(Rev. A) 应用手册。 实际所需的闪存大小将取决于实现情况。 如果使用 SDK 示例、具体取决于您使用的是64位模式还是页面模式。 页面模式使用 每个 EEPROM"组"的前128位、 每个页面额外使用128位来跟踪当前 EEPROM 页面。 用户可以配置页和组的数量。
2.我们的 EEPROM 有多少次擦除时间? 我们有任何测试数据吗?
-请参阅 TMS320F28P55x 实时微控制器数据表(修订版 B)的"闪存参数"部分。
此致、
Alex
您好 Alex、
[引述 userid="618001" url="~/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/1520597/tms320f28p559sj-q1-what-the-memory-requirement-and-erase-time-of-emulation-eeprom/5845761 #5845761"]我们的 EEPROM 有多少次擦除时间? 我们有任何测试数据吗?
-请参阅 TMS320F28P55x 实时微控制器数据表(修订版 B)的"闪存参数"部分。
[/报价]我认为 EEPROM 的擦除时间与闪存的擦除时间不同。
当我们仿真到 EEPROM 的闪存时、我们不会擦除闪存扇区、甚至不会实际擦除闪存、而只是进行仿真。
在 EEPROM 中、我们有一个关于1个字擦除时间的参数。 我们有这个参数吗?
您好:
如果在闪存中模拟 EEPROM、则擦除和编程时间将与闪存的时间相同。
当我们将闪存仿真到 EEPROM 时、我们不会擦除闪存扇区、甚至不会实际擦除闪存、而只是进行仿真。
这是什么意思? 必须先擦除闪存、然后才能再次写入闪存、以便对 ECC 进行重新编程。
闪存中的最小擦除大小是一个扇区、您可以通过仿真创造擦除一个字的外观。
请参阅 C2000Ware\driverlib\f28p65x\examples\c28x\flash 下的 EEPROM 示例(这适用于 F28P65x、但应该易于移植)了解示例实现。
此致、
Alex