工具/软件：
尊敬的 TI：
我们今天与 F29 的潜在客户会面。 他们对 F29 大规模生产提出了申请。 他们将使用锁定的闪存引导模式进行生产、因此需要能够在此状态下对器件进行编程、而无需切换到 UART 引导模式。
根据我们当前的经验和理解、官方 F29 编程方法涉及从 UART 引导、然后使用 uart_flash_programmer PC 工具来加载并运行闪存内核二进制文件。 然后、uart_flash_programmer 与 RAM 中运行的闪存内核进行交互、以传输其他映像以进行编程。
为了满足客户的需求、我们相信需要满足以下两项要求：
可刷写到 F29 中并将从闪存引导的闪存内核工程或二进制文件版本。
当从闪存引导模式启动时、uart_flash_programmer 必须能够与闪存内核正确通信并与之交互。
您能否确认我们的理解是否正确？ TI 是否会有更新或解决方案来满足此客户要求？
您好、Skyler、
感谢您的迅速回复！ 但是、我在 HSSE 器件上刷写映像时遇到问题。 请参阅下图。
此外、我发现器件的闪存 无法擦除。 如果我尝试擦除 CPU1 上的闪存、CCS 将报告： 
这是什么原因造成的？ 这是预料之中的吗？
此致、
Cesc
尊敬的 Charles：
我认为它处于默认的存储体模式、即存储体模式 1、但当我尝试仅为了确保 BANKMGMT 进行编程时、CCS 会报告如下：
此芯片是否已锁定？ 什么操作会 导致芯片锁定？
out 来自工程 combined_services_demo 从 TIFS SDK 导入、并使用 FLASH_HSSE 配置选择在 CCS 内构建。 请参阅以下附件。
e2e.ti.com/.../FLASH_5F00_HSSE.zip
此致、
Cesc
尊敬的 Charles：
启用 verbose 输出、下面是输出日志： 
是、在点击 Program BankMGMT 按钮之前、选择该选项。
以下是存储体模式的寄存器： 
它似乎处于存储体模式 3。 我还注意到 BANKMODE_LOCK 为 1。 这是预料之中的吗？
这是通过 CCS 20.1.1 完成的、但即使我将 uartProgramr.exe 与 uartFlashKernel 一起使用、也无法在闪存上对应用程序映像进行编程。
感谢您的帮助！
此致、
Yang
尊敬的 Charles：
我尝试在 CCS 20.3.0 上配置存储体模式、并获得与之前相同的错误日志。 请参阅下图。
现在、在他们的生命周期设置为 HS-SE 后、我有几个芯片存在同样的问题、不确定原因是什么。 如果我能获得一些关于闪存锁定机制的信息、将会有很大帮助。
此致、
Cesc
您好、Skyler、
连接到 CPU1 后、存储器浏览器中的这些区域似乎无法访问。
这是否异常？
此致、
Yang
您好、Skyler、
对因节假日导致的反馈延迟深表歉意。
我无法访问任何闪存区域、但 RAM 正常。 对于 FRI_CTRL_REGS、FLASH_CMD_REGS_FLCx 等寄存器、是的、它们看起来可以在 CCS 上访问。
由于我有多个芯片最终处于相同的条件、因此 在另一个芯片上激活 HS-SE 状态之前、获取有关哪种操作会导致这种情况的更多信息对我来说变得非常重要。
此致、
Yang
