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器件型号： TMS320F28377D-ROM EP
数据表具有下表、但在考虑双电阻器模型时、应施加哪个热阻？
RJC 和 RJB？
PsiJT 和 PsiJB
器件型号： TMS320F28377D-ROM EP
数据表具有下表、但在考虑双电阻器模型时、应施加哪个热阻？
RJC 和 RJB？
PsiJT 和 PsiJB
您好：
感谢您在假期期间的耐心。 我在下面提供了各种不同的文档、以帮助您在这里进行指导。
TI 提供此应用手册来介绍各种 IC 热参数： 半导体和 IC 封装热指标（修订版 D）
还有本文档： 如何使用热指标正确评估结温（修订版 B）
另外还有两份应用手册专门介绍了适用于 TI DSP 和 MCU 的 nFBGA 封装和热模型分析。
nFBGA 封装 — https://www.ti.com/lit/an/spraa99c/spraa99c.pdf
DSP 和 ARM 应用处理器热设计指南 — https://www.ti.com/lit/an/sprabi3b/sprabi3b.pdf
请查看 SPRABI3B 文档、该文档清楚地描述了为什么 TI 为更复杂的 IC 提供了 Delphi 热模型参数、而不是性能较差的 2R 模型。 本文档的第 10 节使用提供的参数提供了完整的分析。
此致、
Zackary Fleenor
您好：
是、“case"相当于“相当于“package top“。
R θ RΘJC：结至外壳热阻 — 这是一个真正的热阻值
PsiJT：结至封装顶部 — 这是一个估算的热指标，请参阅以下说明
R θ RΘJB：结至电路板热阻
PsiJB:连接到电路板
半导体和 IC 封装热指标（修订版 D） 文档中详细介绍了这些参数。
此致、
Zackary Fleenor
感谢您的详细回答。
我知道这些是真实的热阻值和估算的热指标值。
RΘJB (7.9 度/W) 和 PsiJB (6.1 度/W【无空气】）是相似的值、但我不理解为什么 RΘJC (10.2 度/W) 和 PsiJT (0.11 度/W【无空气】）相差约 100 倍。 请说明。
