请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。
器件型号： TMS320F28377D
您好、专家、
我们遇到存储器损坏问题、两个存储器器件连接到 2837D 上的 EMIF1：
- 第 1 个器件是 SDRAM 芯片；片选择为 CS0
- 第 2 个器件是静态存储器；芯片选择为 CS3
第一个器件 (SDRAM) 始终正常工作、并且 SDRAM 中不会发生数据损坏。
禁用对 SDRAM 的写入时、第 2 个器件 (SRAM) 工作正常。 当我们启用对 SDRAM 的写入时、我们会看到错误的数据值被写入 SRAM。
这两个设备都用于在运行时缓冲大量数据、并定期（以 20-30 个字的突发形式）流式传输数据。
SRAM 中显示的实际值不是随机的、它始终是最后一个写入 SDRAM 的值（对 SDRAM 的写入是周期性的... 大约每 200us 一次）。 该值显示在 SRAM 中的随机地址处。
我们尝试了直接写入 SDRAM 和 DMA 写入,没有发现任何区别:似乎发生的概率相同。 一旦我们禁用 SDRAM 写入（尽管刷新仍然处于活动状态）、我们就会看到 SRAM 中没有更多错误。
此 EMIF 是否存在已知的限制导致此配置无法正常工作？
在该配置中运行两个外部存储器 (SDRAM + SRAM) 是否需要任何特殊处理？
从这一症状可以推断出任何结果 — 写入 SDRAM 的最后一个值“溢出“到 SRAM 中吗？
谢谢！
